WSD30160DN56 N-channel 30V 120A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
WINSOK MOSFET پروڈکٹ کا جائزہ
WSD30160DN56 MOSFET کا وولٹیج 30V ہے، کرنٹ 120A ہے، مزاحمت 1.9mΩ ہے، چینل N-چینل ہے، اور پیکیج DFN5X6-8 ہے۔
WINSOK MOSFET درخواست کے علاقے
ای سگریٹ MOSFET، وائرلیس چارجنگ MOSFET، ڈرون MOSFET، طبی دیکھ بھال MOSFET، کار چارجرز MOSFET، کنٹرولرز MOSFET، ڈیجیٹل مصنوعات MOSFET، چھوٹے گھریلو آلات MOSFET، کنزیومر الیکٹرانکس MOSFET۔
WINSOK MOSFET دوسرے برانڈ کے مواد کے نمبروں سے مساوی ہے۔
AOS MOSFET AON6382,AON6384,AON644A,AON6548۔
Onsemi,FAIRCHILD MOSFET NTMFS4834N,NTMFS4C5N۔
توشیبا موسفیٹ TPH2R93PL۔
پنجیت موسفیٹ PJQ5426۔
NIKO-SEM MOSFET PKE1BB۔
POTENS سیمی کنڈکٹر MOSFET PDC392X۔
MOSFET پیرامیٹرز
| علامت | پیرامیٹر | درجہ بندی | یونٹس |
| وی ڈی ایس | ڈرین سورس وولٹیج | 30 | V |
| وی جی ایس | گیٹ سوrسی ای وولٹیج | ±20 | V |
| ID@TC=25℃ | مسلسل ڈرین کرنٹ، VGS@ 10V1,7 | 120 | A |
| ID@TC=100℃ | مسلسل ڈرین کرنٹ، VGS@ 10V1,7 | 68 | A |
| IDM | پلسڈ ڈرین کرنٹ2 | 300 | A |
| ای اے ایس | سنگل پلس برفانی تودہ توانائی3 | 128 | mJ |
| آئی اے ایس | برفانی تودہ کرنٹ | 50 | A |
| PD@TC=25℃ | کل بجلی کی کھپت4 | 62.5 | W |
| TSTG | اسٹوریج کے درجہ حرارت کی حد | -55 سے 150 | ℃ |
| TJ | آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت کی حد | -55 سے 150 | ℃ |
| علامت | پیرامیٹر | شرائط | کم از کم | ٹائپ کریں۔ | زیادہ سے زیادہ | یونٹ |
| BVڈی ایس ایس | ڈرین سورس بریک ڈاؤن وولٹیج | VGS=0V، ID=250uA | 30 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | BVڈی ایس ایسدرجہ حرارت کا گتانک | 25 کا حوالہ℃، میںD=1mA | --- | 0.02 | --- | V/℃ |
| RDS(آن) | جامد ڈرین ماخذ پر مزاحمت2 | VGS=10V، ID=20A | --- | 1.9 | 2.5 | mΩ |
| VGS=4.5V، ID=15A | --- | 2.9 | 3.5 | |||
| VGS(th) | گیٹ تھریشولڈ وولٹیج | VGS=VDS، میںD=250uA | 1.2 | 1.7 | 2.5 | V |
| △VGS(th) | VGS(th)درجہ حرارت کا گتانک | --- | -6.1 | --- | mV/℃ | |
| آئی ڈی ایس ایس | ڈرین سورس لیکیج کرنٹ | VDS=24V، VGS=0V، TJ=25℃ | --- | --- | 1 | uA |
| VDS=24V، VGS=0V، TJ=55℃ | --- | --- | 5 | |||
| آئی جی ایس ایس | گیٹ کا ذریعہ رساو کرنٹ | VGS=±20V، VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| gfs | فارورڈ ٹرانس کنڈکٹنس | VDS=5V، ID=10A | --- | 32 | --- | S |
| Rg | گیٹ مزاحمت | VDS=0V، VGS=0V، f=1MHz | --- | 0.8 | 1.5 | Ω |
| Qg | کل گیٹ چارج (4.5V) | VDS=15V، VGS=4.5V، ID=20A | --- | 38 | --- | nC |
| Qgs | گیٹ سورس چارج | --- | 10 | --- | ||
| Qgd | گیٹ ڈرین چارج | --- | 13 | --- | ||
| Td(آن) | ٹرن آن تاخیر کا وقت | VDD=15V، VGEN=10V، RG=6Ω، میںD=1A، RL=15Ω۔ | --- | 25 | --- | ns |
| Tr | اٹھنے کا وقت | --- | 23 | --- | ||
| ٹی ڈی (آف) | ٹرن آف تاخیر کا وقت | --- | 95 | --- | ||
| Tf | گرنے کا وقت | --- | 40 | --- | ||
| Ciss | ان پٹ کیپیسیٹینس | VDS=15V، VGS=0V، f=1MHz | --- | 4900 | --- | pF |
| کوس | آؤٹ پٹ کیپیسیٹینس | --- | 1180 | --- | ||
| Cآر ایس ایس | ریورس ٹرانسفر کیپیسیٹینس | --- | 530 | --- |
