WSD30160DN56 N-channel 30V 120A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

مصنوعات

WSD30160DN56 N-channel 30V 120A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

مختصر وضاحت:

حصہ نمبر:WSD30160DN56

BVDSS:30V

ID:120A

RDSON:1.9mΩ 

چینل:این چینل

پیکیج:DFN5X6-8


مصنوعات کی تفصیل

درخواست

پروڈکٹ ٹیگز

WINSOK MOSFET پروڈکٹ کا جائزہ

WSD30160DN56 MOSFET کا وولٹیج 30V ہے، کرنٹ 120A ہے، مزاحمت 1.9mΩ ہے، چینل N-چینل ہے، اور پیکیج DFN5X6-8 ہے۔

WINSOK MOSFET درخواست کے علاقے

ای سگریٹ MOSFET، وائرلیس چارجنگ MOSFET، ڈرون MOSFET، طبی دیکھ بھال MOSFET، کار چارجرز MOSFET، کنٹرولرز MOSFET، ڈیجیٹل مصنوعات MOSFET، چھوٹے گھریلو آلات MOSFET، کنزیومر الیکٹرانکس MOSFET۔

WINSOK MOSFET دوسرے برانڈ کے مواد کے نمبروں سے مطابقت رکھتا ہے۔

AOS MOSFET AON6382,AON6384,AON644A,AON6548۔

Onsemi,FAIRCHILD MOSFET NTMFS4834N,NTMFS4C5N۔

توشیبا موسفیٹ TPH2R93PL۔

پنجیت موسفیٹ PJQ5426۔

NIKO-SEM MOSFET PKE1BB۔

POTENS سیمی کنڈکٹر MOSFET PDC392X۔

MOSFET پیرامیٹرز

علامت

پیرامیٹر

درجہ بندی

یونٹس

وی ڈی ایس

ڈرین سورس وولٹیج

30

V

وی جی ایس

گیٹ سوrسی ای وولٹیج

±20

V

ID@TC=25

مسلسل ڈرین کرنٹ، VGS@ 10V1,7

120

A

ID@TC=100

مسلسل ڈرین کرنٹ، VGS@ 10V1,7

68

A

IDM

پلسڈ ڈرین کرنٹ2

300

A

ای اے ایس

سنگل پلس برفانی تودہ توانائی3

128

mJ

آئی اے ایس

برفانی تودہ کرنٹ

50

A

PD@TC=25

کل بجلی کی کھپت4

62.5

W

TSTG

اسٹوریج کے درجہ حرارت کی حد

-55 سے 150

TJ

آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت کی حد

-55 سے 150

 

علامت

پیرامیٹر

شرائط

کم از کم

ٹائپ کریں۔

زیادہ سے زیادہ

یونٹ

BVڈی ایس ایس

ڈرین سورس بریک ڈاؤن وولٹیج VGS=0V، ID=250uA

30

---

---

V

BVDSS/△TJ

BVڈی ایس ایسدرجہ حرارت کا گتانک 25 کا حوالہ، میںD=1mA

---

0.02

---

V/

RDS(آن)

جامد ڈرین ماخذ پر مزاحمت2 VGS=10V، ID=20A

---

1.9

2.5 mΩ
VGS=4.5V، ID=15A

---

2.9

3.5

VGS(th)

گیٹ تھریشولڈ وولٹیج VGS=VDS، میںD=250uA

1.2

1.7

2.5

V

VGS(th)

VGS(th)درجہ حرارت کا گتانک

---

-6.1

---

mV/

آئی ڈی ایس ایس

ڈرین سورس لیکیج کرنٹ VDS=24V، VGS=0V، TJ=25

---

---

1

uA

VDS=24V، VGS=0V، TJ=55

---

---

5

آئی جی ایس ایس

گیٹ کا ذریعہ رساو کرنٹ VGS=±20V، VDS=0V

---

---

±100

nA

gfs

فارورڈ ٹرانس کنڈکٹنس VDS=5V، ID=10A

---

32

---

S

Rg

گیٹ مزاحمت VDS=0V، VGS=0V، f=1MHz

---

0.8

1.5

Ω

Qg

کل گیٹ چارج (4.5V) VDS=15V، VGS=4.5V، ID=20A

---

38

---

nC

Qgs

گیٹ سورس چارج

---

10

---

Qgd

گیٹ ڈرین چارج

---

13

---

Td(آن)

ٹرن آن تاخیر کا وقت VDD=15V، VGEN=10V، RG=6Ω، میںD=1A، RL=15Ω۔

---

25

---

ns

Tr

اٹھنے کا وقت

---

23

---

ٹی ڈی (آف)

ٹرن آف تاخیر کا وقت

---

95

---

Tf

گرنے کا وقت

---

40

---

Ciss

ان پٹ کیپیسیٹینس VDS=15V، VGS=0V، f=1MHz

---

4900

---

pF

کوس

آؤٹ پٹ کیپیسیٹینس

---

1180

---

Cآر ایس ایس

ریورس ٹرانسفر کیپیسیٹینس

---

530

---


  • پچھلا:
  • اگلا:

  • اپنا پیغام یہاں لکھیں اور ہمیں بھیجیں۔