WSD40200DN56G N-channel 40V 180A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

مصنوعات

WSD40200DN56G N-channel 40V 180A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

مختصر کوائف:

حصے کا نمبر:WSD40200DN56G

BVDSS:40V

ID:180A

RDSON:1.15mΩ 

چینل:این چینل

پیکیج:DFN5X6-8


مصنوعات کی تفصیل

درخواست

پروڈکٹ ٹیگز

WINSOK MOSFET پروڈکٹ کا جائزہ

WSD40120DN56G MOSFET کا وولٹیج 40V ہے، کرنٹ 120A ہے، مزاحمت 1.4mΩ ہے، چینل N-چینل ہے، اور پیکیج DFN5X6-8 ہے۔

WINSOK MOSFET درخواست کے علاقے

ای سگریٹ MOSFET، وائرلیس چارجنگ MOSFET، ڈرون MOSFET، طبی دیکھ بھال MOSFET، کار چارجرز MOSFET، کنٹرولرز MOSFET، ڈیجیٹل مصنوعات MOSFET، چھوٹے گھریلو آلات MOSFET، کنزیومر الیکٹرانکس MOSFET۔

WINSOK MOSFET دوسرے برانڈ کے مواد کے نمبروں سے مساوی ہے۔

AOS MOSFET AON6234,AON6232,AON623.STMicroelectronics MOSFET STL14N4F7AG.POTENS سیمی کنڈکٹر MOSFET PDC496X۔

MOSFET پیرامیٹرز

علامت

پیرامیٹر

درجہ بندی

یونٹس

وی ڈی ایس

ڈرین سورس وولٹیج

40

V

وی جی ایس

گیٹ سوrسی ای وولٹیج

±20

V

ID@TC=25

مسلسل ڈرین کرنٹ، VGS@ 10V1

120

A

ID@TC=100

مسلسل ڈرین کرنٹ، VGS@ 10V1

82

A

IDM

پلسڈ ڈرین کرنٹ2

400

A

ای اے ایس

سنگل پلس برفانی تودہ توانائی3

400

mJ

آئی اے ایس

برفانی تودہ کرنٹ

40

A

PD@TC=25

کل بجلی کی کھپت4

125

W

TSTG

اسٹوریج کے درجہ حرارت کی حد

-55 سے 150

TJ

آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت کی حد

-55 سے 150

 

علامت

پیرامیٹر

شرائط

کم از کم

ٹائپ کریں۔

زیادہ سے زیادہ

یونٹ

BVڈی ایس ایس

ڈرین سورس بریک ڈاؤن وولٹیج VGS=0V، ID=250uA

40

---

---

V

BVDSS/△TJ

BVڈی ایس ایسدرجہ حرارت کا گتانک 25 کا حوالہ، میںD=1mA

---

0.043

---

V/

RDS(آن)

جامد ڈرین ماخذ پر مزاحمت2 VGS=10V، ID=20A

---

1.4

1.8

mΩ

RDS(آن)

جامد ڈرین ماخذ پر مزاحمت2 VGS=4.5V، ID=20A

---

2.0

2.6

VGS(th)

گیٹ تھریشولڈ وولٹیج VGS=VDS، میںD=250uA

1.2

1.6

2.2

V

VGS(th)

VGS(th)درجہ حرارت کا گتانک

---

-6.94

---

mV/

آئی ڈی ایس ایس

ڈرین سورس لیکیج کرنٹ VDS=32V، VGS=0V، TJ=25

---

---

1

uA

VDS=32V، VGS=0V، TJ=55

---

---

5

آئی جی ایس ایس

گیٹ کا ذریعہ رساو کرنٹ VGS=±20V، VDS=0V

---

---

±100

nA

gfs

فارورڈ ٹرانس کنڈکٹنس VDS=5V، ID=20A

---

53

---

S

Rg

گیٹ مزاحمت VDS=0V، VGS=0V، f=1MHz

---

1.0

---

Ω

Qg

کل گیٹ چارج (10V) VDS=15V، VGS=10V، ID=20A

---

45

---

nC

Qgs

گیٹ سورس چارج

---

12

---

Qgd

گیٹ ڈرین چارج

---

18.5

---

Td(آن)

ٹرن آن تاخیر کا وقت VDD=15V، VGEN=10V، RG=3.3Ω، میںD=20A،RL=15Ω۔

---

18.5

---

ns

Tr

اٹھنے کا وقت

---

9

---

ٹی ڈی (آف)

ٹرن آف تاخیر کا وقت

---

58.5

---

Tf

گرنے کا وقت

---

32

---

Ciss

ان پٹ کیپیسیٹینس VDS=20V، VGS=0V، f=1MHz --- 3972 ---

pF

کوس

آؤٹ پٹ کیپیسیٹینس

---

1119 ---

Cآر ایس ایس

ریورس ٹرانسفر کیپیسیٹینس

---

82

---

  • پچھلا:
  • اگلے:

  • اپنا پیغام یہاں لکھیں اور ہمیں بھیجیں۔