WSD6070DN56 N-channel 60V 80A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
WINSOK MOSFET پروڈکٹ کا جائزہ
WSD6070DN56 MOSFET کا وولٹیج 60V ہے، کرنٹ 80A ہے، مزاحمت 7.3mΩ ہے، چینل N-چینل ہے، اور پیکیج DFN5X6-8 ہے۔
WINSOK MOSFET درخواست کے علاقے
ای سگریٹ MOSFET، وائرلیس چارجنگ MOSFET، موٹرز MOSFET، ڈرون MOSFET، طبی دیکھ بھال MOSFET، کار چارجرز MOSFET، کنٹرولرز MOSFET، ڈیجیٹل مصنوعات MOSFET، چھوٹے گھریلو آلات MOSFET، کنزیومر الیکٹرانکس MOSFET۔
WINSOK MOSFET دوسرے برانڈ کے مواد کے نمبروں سے مطابقت رکھتا ہے۔
POTENS سیمی کنڈکٹر MOSFET PDC696X۔
MOSFET پیرامیٹرز
| علامت | پیرامیٹر | درجہ بندی | یونٹس |
| وی ڈی ایس | ڈرین سورس وولٹیج | 60 | V |
| وی جی ایس | گیٹ سوrسی ای وولٹیج | ±20 | V |
| TJ | زیادہ سے زیادہ جنکشن کا درجہ حرارت | 150 | °C |
| ID | اسٹوریج کے درجہ حرارت کی حد | -55 سے 150 | °C |
| IS | ڈائوڈ کنٹینیوئس فارورڈ کرنٹ، ٹیC=25°C | 80 | A |
| ID | مسلسل ڈرین کرنٹ، VGS=10V،TC=25°C | 80 | A |
| مسلسل ڈرین کرنٹ، VGS=10V،TC=100°C | 66 | A | |
| IDM | پلسڈ ڈرین کرنٹ، ٹیC=25°C | 300 | A |
| PD | زیادہ سے زیادہ بجلی کی کھپت، TC=25°C | 150 | W |
| زیادہ سے زیادہ بجلی کی کھپت، TC=100°C | 75 | W | |
| RθJA | تھرمل ریزسٹنس-جنکشن ٹو ایمبیئنٹ،t =10s ̀ | 50 | °C/W |
| تھرمل ریزسٹنس-جنکشن ٹو ایمبیئنٹ، سٹیڈی سٹیٹ | 62.5 | °C/W | |
| RqJC | تھرمل ریزسٹنس-جکشن ٹو کیس | 1 | °C/W |
| آئی اے ایس | برفانی تودہ کرنٹ، سنگل پلس، L=0.5mH | 30 | A |
| EAS | برفانی تودہ توانائی، سنگل پلس، L=0.5mH | 225 | mJ |
| علامت | پیرامیٹر | شرائط | کم از کم | ٹائپ کریں۔ | زیادہ سے زیادہ | یونٹ |
| BVڈی ایس ایس | ڈرین سورس بریک ڈاؤن وولٹیج | VGS=0V، ID=250uA | 60 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | BVڈی ایس ایسدرجہ حرارت کا گتانک | 25 کا حوالہ℃، میںD=1mA | --- | 0.043 | --- | V/℃ |
| RDS(آن) | جامد ڈرین ماخذ پر مزاحمت2 | VGS=10V، ID=40A | --- | 7.0 | 9.0 | mΩ |
| VGS(th) | گیٹ تھریشولڈ وولٹیج | VGS=VDS، میںD=250uA | 2.0 | 3.0 | 4.0 | V |
| △VGS(th) | VGS(th)درجہ حرارت کا گتانک | --- | -6.94 | --- | mV/℃ | |
| آئی ڈی ایس ایس | ڈرین سورس لیکیج کرنٹ | VDS=48V، VGS=0V، TJ=25℃ | --- | --- | 2 | uA |
| VDS=48V، VGS=0V، TJ=55℃ | --- | --- | 10 | |||
| آئی جی ایس ایس | گیٹ کا ذریعہ رساو کرنٹ | VGS=±20V، VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| gfs | فارورڈ ٹرانس کنڈکٹنس | VDS=5V، ID=20A | --- | 50 | --- | S |
| Rg | گیٹ مزاحمت | VDS=0V، VGS=0V، f=1MHz | --- | 1.0 | --- | Ω |
| Qg | کل گیٹ چارج (10V) | VDS=30V، VGS=10V، ID=40A | --- | 48 | --- | nC |
| Qgs | گیٹ سورس چارج | --- | 17 | --- | ||
| Qgd | گیٹ ڈرین چارج | --- | 12 | --- | ||
| Td(آن) | ٹرن آن تاخیر کا وقت | VDD=30V، VGEN=10V، RG=1Ω، میںD=1A،RL=15Ω۔ | --- | 16 | --- | ns |
| Tr | اٹھنے کا وقت | --- | 10 | --- | ||
| ٹی ڈی (آف) | ٹرن آف تاخیر کا وقت | --- | 40 | --- | ||
| Tf | گرنے کا وقت | --- | 35 | --- | ||
| Ciss | ان پٹ کیپیسیٹینس | VDS=30V، VGS=0V، f=1MHz | --- | 2680 | --- | pF |
| کوس | آؤٹ پٹ کیپیسیٹینس | --- | 386 | --- | ||
| Cآر ایس ایس | ریورس ٹرانسفر کیپیسیٹینس | --- | 160 | --- |
