WSD60N12GDN56 N-channel 120V 70A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

مختصر وضاحت:

حصہ نمبر:WSD60N12GDN56

BVDSS:120V

ID:70A

RDSON:10mΩ

چینل:این چینل

پیکیج:DFN5X6-8

ہمیں ای میل بھیجیں۔ PDF

مصنوعات کی تفصیل

درخواست

پروڈکٹ ٹیگز

WINSOK MOSFET پروڈکٹ کا جائزہ

WSD60N12GDN56 MOSFET کا وولٹیج 120V ہے، کرنٹ 70A ہے، مزاحمت 10mΩ ہے، چینل N-چینل ہے، اور پیکیج DFN5X6-8 ہے۔

WINSOK MOSFET درخواست کے علاقے

طبی سامان MOSFET، ڈرون MOSFET، PD پاور سپلائی MOSFET، LED پاور سپلائی MOSFET، صنعتی سامان MOSFET۔

MOSFET ایپلیکیشن فیلڈز WINSOK MOSFET دوسرے برانڈ میٹریل نمبروں سے مساوی ہے۔

AOS MOSFET AON6226,AON6294,AON6298,AONS6292,AONS6692,AONS66923.PANJIT MOSFET PSMQC76N12LS1.POTENS سیمی کنڈکٹر MOSFET PDC974X۔

MOSFET پیرامیٹرز

علامت	پیرامیٹر	درجہ بندی	یونٹس
وی ڈی ایس	ڈرین سورس وولٹیج	120	V
وی جی ایس	گیٹ سورس وولٹیج	±20	V
I_D@T_C=25℃	مسلسل ڈرین کرنٹ	70	A
آئی ڈی پی	پلسڈ ڈرین کرنٹ	150	A
ای اے ایس	برفانی تودہ توانائی، واحد نبض	53.8	mJ
P_D@T_C=25℃	کل بجلی کی کھپت	140	ڈبلیو
TSTG	اسٹوریج کے درجہ حرارت کی حد	-55 سے 150	℃
T_J	آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت کی حد	-55 سے 150	℃

علامت	پیرامیٹر	شرائط	کم از کم	ٹائپ کریں۔	زیادہ سے زیادہ	یونٹ
BV_{ڈی ایس ایس}	ڈرین سورس بریک ڈاؤن وولٹیج	V_GS=0V، I_D=250uA	120	---	---	V
	جامد ڈرین ماخذ پر مزاحمت	VGS=10V,ID=10A۔	---	10	15	mΩ
RDS(آن)	جامد ڈرین ماخذ پر مزاحمت	VGS=4.5V,ID=10A۔	---	18	25	mΩ
VGS(th)	گیٹ تھریشولڈ وولٹیج	V_GS=V_DS، میں_D=250uA	1.2	---	2.5	V
آئی ڈی ایس ایس	ڈرین سورس لیکیج کرنٹ	V_DS=80V، V_GS=0V، T_J=25℃	---	---	1	uA
آئی جی ایس ایس	گیٹ کا ذریعہ رساو کرنٹ	V_GS= ±20V، V_DS=0V	---	---	±100	nA
Q_g	کل گیٹ چارج (10V)	V_DS=50V، V_GS=10V، I_D=25A	---	33	---	nC
Q_gs	گیٹ سورس چارج		---	5.6	---
Q_gd	گیٹ ڈرین چارج		---	7.2	---
Td(آن)	ٹرن آن تاخیر کا وقت	V_DD=50V، V_GS=10V، R_G=2Ω، I_D=25A	---	22	---	ns
T_r	اٹھنے کا وقت		---	10	---
ٹی ڈی (آف)	ٹرن آف تاخیر کا وقت		---	85	---
T_f	گرنے کا وقت		---	112	---
C_iss	ان پٹ کیپیسیٹینس	V_DS=50V، V_GS=0V، f=1MHz	---	2640	---	pF
کوس	آؤٹ پٹ کیپیسیٹینس		---	330	---
C_{آر ایس ایس}	ریورس ٹرانسفر کیپیسیٹینس		---	11	---
I_S	مسلسل ذریعہ موجودہ	V_G=V_D=0V، فورس کرنٹ	---	---	50	A
آئی ایس پی	پلسڈ سورس کرنٹ	V_G=V_D=0V، فورس کرنٹ	---	---	150	A
وی ایس ڈی	ڈایڈڈ فارورڈ وولٹیج	V_GS=0V، I_S=12A، T_J=25℃	---	---	1.3	V
t_rr	ریورس ریکوری ٹائم	IF=25A,dI/dt=100A/µs,T_J=25℃	---	62	---	nS
Q_rr	ریورس ریکوری چارج	IF=25A,dI/dt=100A/µs,T_J=25℃	---	135	---	nC