WSD80130DN56 N-channel 80V 130A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

حصہ نمبر:WSD80130DN56

BVDSS:80V

ID:130A

RDSON:2.7mΩ

چینل:این چینل

پیکیج:DFN5X6-8

ہمیں ای میل بھیجیں۔ PDF

مصنوعات کی تفصیل

WSD80130DN56 MOSFET کا وولٹیج 80V ہے، کرنٹ 130A ہے، مزاحمت 2.7mΩ ہے، چینل N-چینل ہے، اور پیکیج DFN5X6-8 ہے۔

ڈرون MOSFET، موٹرز MOSFET، میڈیکل MOSFET، پاور ٹولز MOSFET، ESCs MOSFET۔

AOS MOSFET AON6276,AONS62814T.STMicroelectronics MOSFET STL13N8F7,STL135N8F7AG۔

علامت	پیرامیٹر	درجہ بندی	یونٹس
وی ڈی ایس	ڈرین سورس وولٹیج	80	V
وی جی ایس	گیٹ سوrسی ای وولٹیج	±20	V
TJ	زیادہ سے زیادہ جنکشن کا درجہ حرارت	150	°C
ID	اسٹوریج کے درجہ حرارت کی حد	-55 سے 150	°C
ID	مسلسل ڈرین کرنٹ، V_GS=10V،T_C=25°C	130	A
ID	مسلسل ڈرین کرنٹ، V_GS=10V،T_C=70°C	89	A
IDM	پلسڈ ڈرین کرنٹ، ٹی_C=25°C	400	A
P_D	زیادہ سے زیادہ بجلی کی کھپت، T_C=25°C	200	W
RqJC	تھرمل ریزسٹنس-جکشن ٹو کیس	1.25	°C

علامت	پیرامیٹر	شرائط	کم از کم	ٹائپ کریں۔	زیادہ سے زیادہ	یونٹ
BV_{ڈی ایس ایس}	ڈرین سورس بریک ڈاؤن وولٹیج	V_GS=0V، I_D=250uA	80	---	---	V
△BVDSS/△TJ	BV_{ڈی ایس ایس}درجہ حرارت کا گتانک	25 کا حوالہ℃، میں_D=1mA	---	0.043	---	V/℃
RDS(آن)	جامد ڈرین ماخذ پر مزاحمت²	VGS=10V، I_D=40A	---	2.7	3.6	mΩ
VGS(th)	گیٹ تھریشولڈ وولٹیج	V_GS=V_DS، میں_D=250uA	2.0	3.0	4.0	V
△V_GS(th)	V_GS(th)درجہ حرارت کا گتانک	V_GS=V_DS، میں_D=250uA	---	-6.94	---	mV/℃
آئی ڈی ایس ایس	ڈرین سورس لیکیج کرنٹ	V_DS=48V، V_GS=0V، T_J=25℃	---	---	2	uA
آئی ڈی ایس ایس	ڈرین سورس لیکیج کرنٹ	V_DS=48V، V_GS=0V، T_J=55℃	---	---	10	uA
آئی جی ایس ایس	گیٹ کا ذریعہ رساو کرنٹ	V_GS=±20V، V_DS=0V	---	---	±100	nA
Q_g	کل گیٹ چارج (10V)	V_DS=30V، V_GS=10V، I_D=30A	---	48.6	---	nC
Q_gs	گیٹ سورس چارج		---	17.5	---
Q_gd	گیٹ ڈرین چارج		---	10.4	---
Td(آن)	ٹرن آن تاخیر کا وقت	V_DD=30V، V_GS=10V، R_G=2.5Ω، میں_D=2A،RL=15Ω۔	---	20	---	ns
T_r	اٹھنے کا وقت		---	10	---
ٹی ڈی (آف)	ٹرن آف تاخیر کا وقت		---	35	---
T_f	گرنے کا وقت		---	12	---
C_iss	ان پٹ کیپیسیٹینس	V_DS=25V، V_GS=0V، f=1MHz	---	4150	---	pF
کوس	آؤٹ پٹ کیپیسیٹینس		---	471	---
C_{آر ایس ایس}	ریورس ٹرانسفر کیپیسیٹینس		---	20	---