WSP4016 N-channel 40V 15.5A SOP-8 WINSOK MOSFET

مختصر وضاحت:

ماڈل نمبر:WSP4016

BVDSS:40V

RDSON:11.5mΩ

ID:15.5A

چینل:این چینل

پیکیج:SOP-8

پروڈکٹ سمری:WSP4016 MOSFET کا وولٹیج 40V ہے، کرنٹ 15.5A ہے، مزاحمت 11.5mΩ ہے، چینل N-channel ہے، اور پیکیج SOP-8 ہے۔

درخواستیں:آٹوموٹو الیکٹرانکس، ایل ای ڈی لائٹس، آڈیو، ڈیجیٹل مصنوعات، چھوٹے گھریلو ایپلائینسز، کنزیومر الیکٹرانکس، پروٹیکشن بورڈز وغیرہ

ہمیں ای میل بھیجیں۔ PDF

مصنوعات کی تفصیل

درخواست

پروڈکٹ ٹیگز

عمومی تفصیل

WSP4016 انتہائی اعلیٰ سیل کثافت کے ساتھ اعلیٰ ترین کارکردگی والی ٹرینچ N-ch MOSFET ہے، جو زیادہ تر سنکرونس بک کنورٹر ایپلی کیشنز کے لیے بہترین RDSON اور گیٹ چارجز فراہم کرتا ہے۔ WSP4016 RoHS اور گرین پروڈکٹ کی ضروریات کو پورا کرتا ہے، 100% EAS کی ضمانت دی گئی ہے جس کی مکمل فنکشن قابل اعتماد کی منظوری دی گئی ہے۔

خصوصیات

اعلی درجے کی ہائی سیل ڈینسٹی ٹرینچ ٹیکنالوجی، سپر لو گیٹ چارج، بہترین CdV/dt اثر کمی، 100% EAS گارنٹی، گرین ڈیوائس دستیاب ہے۔

درخواستیں

وائٹ ایل ای ڈی بوسٹ کنورٹرز، آٹوموٹو سسٹمز، انڈسٹریل ڈی سی/ڈی سی کنورژن سرکٹس، ای اے آٹوموٹیو الیکٹرانکس، ایل ای ڈی لائٹس، آڈیو، ڈیجیٹل مصنوعات، چھوٹے گھریلو آلات، کنزیومر الیکٹرانکس، پروٹیکشن بورڈز وغیرہ۔

اہم پیرامیٹرز

علامت	پیرامیٹر	درجہ بندی	یونٹس
وی ڈی ایس	ڈرین سورس وولٹیج	40	V
وی جی ایس	گیٹ سورس وولٹیج	±20	V
ID@TC=25℃	مسلسل ڈرین کرنٹ، VGS @ 10V1	15.5	A
ID@TC=70℃	مسلسل ڈرین کرنٹ، VGS @ 10V1	8.4	A
IDM	پلسڈ ڈرین کرنٹ2	30	A
PD@TA=25℃	کل بجلی کی کھپت TA=25°C	2.08	W
PD@TA=70℃	کل بجلی کی کھپت TA=70°C	1.3	W
TSTG	اسٹوریج کے درجہ حرارت کی حد	-55 سے 150	℃
TJ	آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت کی حد	-55 سے 150	℃

برقی خصوصیات (TJ=25 ℃، جب تک کہ دوسری صورت میں نوٹ نہ کیا جائے)

علامت	پیرامیٹر	شرائط	کم از کم	ٹائپ کریں۔	زیادہ سے زیادہ	یونٹ
بی وی ڈی ایس ایس	ڈرین سورس بریک ڈاؤن وولٹیج	VGS=0V , ID=250uA	40	---	---	V
RDS(آن)	جامد ڈرین ماخذ آن مزاحمت2	VGS=10V , ID=7A	---	8.5	11.5	mΩ
RDS(آن)	جامد ڈرین ماخذ آن مزاحمت2	VGS=4.5V , ID=5A	---	11	14.5	mΩ
VGS(th)	گیٹ تھریشولڈ وولٹیج	VGS=VDS، ID =250uA	1.0	1.8	2.5	V
آئی ڈی ایس ایس	ڈرین سورس لیکیج کرنٹ	VDS=32V , VGS=0V , TJ=25℃	---	---	1	uA
آئی ڈی ایس ایس	ڈرین سورس لیکیج کرنٹ	VDS=32V , VGS=0V , TJ=55℃	---	---	25	uA
آئی جی ایس ایس	گیٹ کا ذریعہ رساو کرنٹ	VGS=±20V، VDS=0V	---	---	±100	nA
gfs	فارورڈ ٹرانس کنڈکٹنس	VDS=5V، ID=15A	---	31	---	S
Qg	کل گیٹ چارج (4.5V)	VDS=20V ,VGS=10V ,ID=7A	---	20	30	nC
Qgs	گیٹ سورس چارج		---	3.9	---
کیو جی ڈی	گیٹ ڈرین چارج		---	3	---
Td(آن)	ٹرن آن تاخیر کا وقت	VDD=20V,VGEN=10V,RG=1Ω, ID=1A, RL=20Ω۔	---	12.6	---	ns
Tr	اٹھنے کا وقت		---	10	---
ٹی ڈی (آف)	ٹرن آف تاخیر کا وقت		---	23.6	---
Tf	گرنے کا وقت		---	6	---
Ciss	ان پٹ کیپیسیٹینس	VDS=20V , VGS=0V , f=1MHz	---	1125	---	pF
کوس	آؤٹ پٹ کیپیسیٹینس		---	132	---
سی آر ایس ایس	ریورس ٹرانسفر کیپیسیٹینس		---	70	---