WST4041 P-Channel -40V -6A SOT-23-3L WINSOK MOSFET

مختصر کوائف:

ماڈل نمبر:WST4041

BVDSS:-40V

RDSON:30mΩ

ID:-6A

چینل:پی چینل

پیکیج:SOT-23-3L

مصنوعات کا خلاصہ:WST4041 MOSFET میں -40V کا وولٹیج، -6A کا کرنٹ، 30mΩ کی مزاحمت، P-Channel، اور SOT-23-3L پیکیجنگ ہے۔

درخواستیں:الیکٹرانک سگریٹ، کنٹرولرز، ڈیجیٹل مصنوعات، چھوٹے آلات، کنزیومر الیکٹرانکس۔

ہمیں ای میل بھیجیں۔ PDF

مصنوعات کی تفصیل

درخواست

پروڈکٹ ٹیگز

عمومی وضاحت

WST4041 ایک طاقتور P-چینل MOSFET ہے جسے سنکرونس بک کنورٹرز میں استعمال کے لیے ڈیزائن کیا گیا ہے۔اس میں سیل کی کثافت زیادہ ہے جو بہترین RDSON اور گیٹ چارج کی اجازت دیتی ہے۔WST4041 RoHS اور گرین پروڈکٹ کے معیارات کو پورا کرتا ہے، اور یہ قابل اعتماد کارکردگی کے لیے 100% EAS گارنٹی کے ساتھ آتا ہے۔

خصوصیات

اعلی درجے کی ٹرینچ ٹکنالوجی میں اعلی سیل کثافت اور انتہائی کم گیٹ چارج کی خصوصیات ہیں، جو نمایاں طور پر CdV/dt اثر کو کم کرتی ہے۔ہمارے آلات 100% EAS گارنٹی اور ماحول دوست اختیارات کے ساتھ آتے ہیں۔

ایپلی کیشنز

ہائی فریکوئنسی پوائنٹ آف لوڈ سنکرونس بک کنورٹر، نیٹ ورکنگ DC-DC پاور سسٹم، لوڈ سوئچ، ای سگریٹ، کنٹرولرز، ڈیجیٹل ڈیوائسز، چھوٹے گھریلو آلات، اور کنزیومر الیکٹرانکس۔

اہم پیرامیٹرز

علامت	پیرامیٹر	درجہ بندی	یونٹس
وی ڈی ایس	ڈرین سورس وولٹیج	-40	V
وی جی ایس	گیٹ سورس وولٹیج	±20	V
ID@TC=25℃	مسلسل ڈرین کرنٹ، VGS @ -10V1	-6.0	A
ID@TC=100℃	مسلسل ڈرین کرنٹ، VGS @ -10V1	-4.5	A
IDM	پلسڈ ڈرین کرنٹ2	-24	A
ای اے ایس	سنگل پلس برفانی تودہ توانائی3	12	mJ
آئی اے ایس	برفانی تودہ کرنٹ	-7	A
PD@TC=25℃	کل بجلی کی کھپت4	1.4	W
TSTG	اسٹوریج کے درجہ حرارت کی حد	-55 سے 150	℃
TJ	آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت کی حد	-55 سے 150	℃

علامت	پیرامیٹر	شرائط	کم از کم	ٹائپ کریں۔	زیادہ سے زیادہ	یونٹ
بی وی ڈی ایس ایس	ڈرین سورس بریک ڈاؤن وولٹیج	VGS=0V , ID=-250uA	-40	---	---	V
△BVDSS/△TJ	BVDSS درجہ حرارت کا گتانک	25℃، ID=-1mA کا حوالہ	---	-0.03	---	V/℃
RDS(آن)	جامد ڈرین ماخذ آن مزاحمت2	VGS=-10V , ID=-3A	---	30	40	mΩ
RDS(آن)	جامد ڈرین ماخذ آن مزاحمت2	VGS=-4.5V , ID=-1A	---	40	58	mΩ
VGS(th)	گیٹ تھریشولڈ وولٹیج	VGS=VDS , ID =-250uA	-0.8	-1.2	-2.2	V
△VGS(th)	VGS(th) درجہ حرارت کا گتانک	VGS=VDS , ID =-250uA	---	4.56	---	mV/℃
آئی ڈی ایس ایس	ڈرین سورس لیکیج کرنٹ	VDS=-28V , VGS=0V , TJ=25℃	---	---	1	uA
آئی ڈی ایس ایس	ڈرین سورس لیکیج کرنٹ	VDS=-28V , VGS=0V , TJ=55℃	---	---	5	uA
آئی جی ایس ایس	گیٹ کا ذریعہ رساو کرنٹ	VGS=±20V، VDS=0V	---	---	±100	nA
gfs	فارورڈ ٹرانس کنڈکٹنس	VDS=-5V , ID=-3A	---	15	---	S
Rg	گیٹ مزاحمت	VDS=0V , VGS=0V , f=1MHz	---	3.8	---	Ω
Qg	کل گیٹ چارج (-4.5V)	VDS=-18V , VGS=-10V , ID=-4A	---	9.5	---	nC
Qgs	گیٹ سورس چارج		---	1.7	---
کیو جی ڈی	گیٹ ڈرین چارج		---	2.0	---
Td(آن)	ٹرن آن تاخیر کا وقت	VDD=-15V، VGS=-10V، RG=6Ω، ID=-1A , RL=15Ω	---	8	---	ns
Tr	اٹھنے کا وقت		---	10	---
ٹی ڈی (آف)	ٹرن آف تاخیر کا وقت		---	18	---
Tf	گرنے کا وقت		---	8	---
Ciss	ان پٹ کیپیسیٹینس	VDS=-15V , VGS=0V , f=1MHz	---	420	---	pF
کوس	آؤٹ پٹ کیپیسیٹینس		---	77	---
سی آر ایس ایس	ریورس ٹرانسفر کیپیسیٹینس		---	55	---