MOSFET کے غیر موثر ہونے کی وجوہات کا تجزیہ

1، وولٹیج کی ناکامی کو اکثر کہا جاتا ہے کہ BVdss وولٹیج کے ماخذ کے درمیان رساو mosfet کے ریٹیڈ وولٹیج سے زیادہ ہے، اور mosfet کی ناکامی کا باعث بننے کی ایک خاص صلاحیت سے زیادہ ہے۔

2، موجودہ ناکامی جو کہ mosfet محفوظ کام کرنے کی حد سے زیادہ ہے اور غلط، جسے Id میں تقسیم کیا گیا ہے، ڈیوائس کی وضاحتوں سے زیادہ ہے اور اس کی Id کی وجہ سے ہونے والی ناکامی بہت زیادہ ہے، زیادہ ٹوٹ پھوٹ کا نتیجہ ہے جس کے نتیجے میں طویل مدتی تھرمل جمع ہو جاتا ہے۔ آلہ اور ناکامی.

3، پل میں، ایل ایل سی اور جسم کے ڈایڈڈ کو موجودہ ٹوپولوجی سے باہر لے جانے کے لئے دیگر مؤثر، کیونکہ جسم ڈایڈڈ کو تباہ اور غلط کر دیا گیا ہے.

4، متوازی درخواست کے عمل میں، سرکٹ پرجیوی پیرامیٹرز کے ساتھ گیٹ اتار چڑھاو کا باعث بنتا ہے جو گونج کی ناکامی کا سبب بنے گا۔

5، خشک ماحول میں، کیونکہ انسانی جسم اور آلات اور آلہ کی طرف سے پیدا ہونے والی جامد بجلی جامد غیر موثر ہو جائے گی۔

6. گیٹ پر غیر معمولی آپریٹنگ وولٹیج چوٹی کی وجہ سے گیٹ وولٹیج غلط ہے۔

مندرجہ بالا پر مبنی ہےMOSFETناکامی کی وجوہات کا تجزیہ، ہم اسی پروسیسنگ آپریشنز بنانے، دیگر مسائل ہیں ہم سے آن لائن Guanhua Weiye کمپنی سے مشورہ کرنے کا خیرمقدم کرتے ہیں، آپ کو مؤثر جوابات اور معیار کی خدمت کے رویے کے ساتھ فراہم کر سکتے ہیں.
اولوکیکریڈٹ بقا کے لیے کمپنی، "کوالٹی فرسٹ، سروس فرسٹ" کے مقصد اور اندرون و بیرون ملک بہت سے ہائی ٹیک انٹرپرائزز کی پاسداری کرتے ہوئے، ایک اچھے ورکنگ ریلیشن شپ قائم کرنے کے لیے اصل فیکٹری، تقسیم میں کئی سالوں کے پیشہ ورانہ تجربے کے ساتھ، اچھے کریڈٹ کے ساتھ، بہترین سروس، اعتماد اور تعاون کی وسیع رینج تک رسائی۔