گیٹ کیپیسیٹینس، آن ریزسٹنس اور MOSFETs کے دیگر پیرامیٹرز

I. گیٹ کیپیسیٹینس

گیٹ کیپیسیٹینس میں بنیادی طور پر ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss)، آؤٹ پٹ کیپیسیٹینس (Coss) اور ریورس ٹرانسفر کیپیسیٹینس (Crss، جسے ملر کیپیسیٹینس بھی کہا جاتا ہے) شامل ہیں۔

ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss):

تعریف: ان پٹ کیپیسیٹینس گیٹ اور سورس اور ڈرین کے درمیان کل کیپیسیٹینس ہے، اور یہ گیٹ سورس کیپیسیٹینس (Cgs) اور گیٹ ڈرین کیپیسیٹینس (Cgd) پر مشتمل ہے جو متوازی طور پر منسلک ہے، یعنی Ciss = Cgs + Cgd۔

فنکشن: ان پٹ کیپیسیٹینس MOSFET کی سوئچنگ اسپیڈ کو متاثر کرتی ہے۔ جب ان پٹ کیپیسیٹینس کو تھریشولڈ وولٹیج پر چارج کیا جاتا ہے، تو ڈیوائس کو آن کیا جا سکتا ہے۔ ایک خاص قدر پر چھٹی، آلہ بند کیا جا سکتا ہے. لہذا، ڈرائیونگ سرکٹ اور Ciss کا آلہ کے ٹرن آن اور ٹرن آف میں تاخیر پر براہ راست اثر پڑتا ہے۔

آؤٹ پٹ کیپیسیٹینس (Coss):

تعریف: آؤٹ پٹ کیپیسیٹینس ڈرین اور سورس کے درمیان کل کیپیسیٹینس ہے، اور متوازی طور پر ڈرین سورس کیپیسیٹینس (Cds) اور گیٹ ڈرین کیپیسیٹینس (Cgd) پر مشتمل ہے، یعنی Coss = Cds + Cgd۔

کردار: نرم سوئچنگ ایپلی کیشنز میں، Coss بہت اہم ہے کیونکہ یہ سرکٹ میں گونج کا سبب بن سکتا ہے۔

ریورس ٹرانسمیشن کیپیسیٹینس (Crss):

تعریف: ریورس ٹرانسفر کیپیسیٹینس گیٹ ڈرین کیپیسیٹینس (سی جی ڈی) کے برابر ہے اور اسے اکثر ملر کیپیسیٹینس کہا جاتا ہے۔

کردار: ریورس ٹرانسفر کیپیسیٹینس سوئچ کے عروج اور زوال کے اوقات کے لیے ایک اہم پیرامیٹر ہے، اور یہ ٹرن آف تاخیر کے وقت کو بھی متاثر کرتا ہے۔ ڈرین سورس وولٹیج بڑھنے کے ساتھ ہی اہلیت کی قدر کم ہو جاتی ہے۔

II آن مزاحمت (Rds (آن))

تعریف: آن-مزاحمت مخصوص حالات (مثلاً، مخصوص رساو کرنٹ، گیٹ وولٹیج، اور درجہ حرارت) کے تحت آن سٹیٹ میں MOSFET کے ماخذ اور نالی کے درمیان مزاحمت ہے۔

اثر انداز ہونے والے عوامل: مزاحمت ایک مقررہ قدر نہیں ہے، یہ درجہ حرارت سے متاثر ہوتی ہے، درجہ حرارت جتنا زیادہ ہوگا، Rds(آن) اتنا ہی زیادہ ہوگا۔ اس کے علاوہ، جتنی زیادہ برداشت کرنے والی وولٹیج ہوگی، MOSFET کا اندرونی ڈھانچہ اتنا ہی گاڑھا ہوگا، متعلقہ آن مزاحمت اتنی ہی زیادہ ہوگی۔

اہمیت: سوئچنگ پاور سپلائی یا ڈرائیور سرکٹ کو ڈیزائن کرتے وقت، MOSFET کی آن ریزسٹنس پر غور کرنا ضروری ہے، کیونکہ MOSFET کے ذریعے بہنے والا کرنٹ اس مزاحمت پر توانائی استعمال کرے گا، اور استعمال شدہ توانائی کے اس حصے کو آن کہا جاتا ہے۔ مزاحمت کا نقصان. کم آن ریزسٹنس کے ساتھ MOSFET کا انتخاب آن مزاحمتی نقصان کو کم کر سکتا ہے۔

تیسرا، دیگر اہم پیرامیٹرز

گیٹ کیپیسیٹینس اور آن ریزسٹنس کے علاوہ، MOSFET کے کچھ دوسرے اہم پیرامیٹرز ہیں جیسے:

V(BR)DSS (ڈرین سورس بریک ڈاؤن وولٹیج):ڈرین سورس وولٹیج جس پر نالے میں بہنے والا کرنٹ ایک مخصوص درجہ حرارت پر ایک خاص قدر تک پہنچتا ہے اور گیٹ سورس کو چھوٹا کیا جاتا ہے۔ اس قدر سے اوپر، ٹیوب کو نقصان پہنچ سکتا ہے۔

VGS(th) (تھریش ہولڈ وولٹیج):گیٹ وولٹیج کی ضرورت ہوتی ہے جس کی وجہ سے منبع اور نالی کے درمیان کنڈکٹنگ چینل بننا شروع ہوتا ہے۔ معیاری N-چینل MOSFETs کے لیے، VT تقریباً 3 سے 6V ہے۔

ID (زیادہ سے زیادہ مسلسل ڈرین کرنٹ):زیادہ سے زیادہ مسلسل DC کرنٹ جس کی اجازت زیادہ سے زیادہ درجہ بند جنکشن درجہ حرارت پر چپ کے ذریعے دی جا سکتی ہے۔

IDM (زیادہ سے زیادہ پلسڈ ڈرین کرنٹ):پلس کرنٹ کی سطح کی عکاسی کرتا ہے جسے آلہ سنبھال سکتا ہے، پلس کرنٹ مسلسل DC کرنٹ سے بہت زیادہ ہوتا ہے۔

PD (زیادہ سے زیادہ بجلی کی کھپت):ڈیوائس زیادہ سے زیادہ بجلی کی کھپت کو ختم کر سکتی ہے۔

خلاصہ طور پر، MOSFET کے گیٹ کیپیسیٹینس، آن ریزسٹنس اور دیگر پیرامیٹرز اس کی کارکردگی اور اطلاق کے لیے اہم ہیں، اور انہیں مخصوص ایپلیکیشن کے منظرناموں اور ضروریات کے مطابق منتخب اور ڈیزائن کرنے کی ضرورت ہے۔