عام طور پر استعمال ہونے والے ہائی پاور MOSFETs کے کام کرنے والے اصول کا تعارف

آج عام طور پر استعمال ہونے والی ہائی پاور پرMOSFETاس کے کام کے اصول کو مختصر طور پر متعارف کرانے کے لیے۔ دیکھیں کہ اسے اپنے کام کا احساس کیسے ہوتا ہے۔

میٹل-آکسائیڈ-سیمک کنڈکٹر یعنی میٹل-آکسائیڈ-سیمک کنڈکٹر، بالکل، یہ نام انٹیگریٹڈ سرکٹ میں MOSFET کی ساخت کو بیان کرتا ہے، یعنی: سیمی کنڈکٹر ڈیوائس کی ایک مخصوص ساخت میں، سلکان ڈائی آکسائیڈ اور دھات کے ساتھ مل کر، تشکیل دروازے کے

MOSFET کا ماخذ اور نالی متضاد ہیں، دونوں N-type زونز P-type backgate میں بنتے ہیں۔ زیادہ تر معاملات میں، دونوں علاقے ایک جیسے ہوتے ہیں، یہاں تک کہ اگر ایڈجسٹمنٹ کے دونوں سرے ڈیوائس کی کارکردگی کو متاثر نہیں کریں گے، اس طرح کے آلے کو سڈول سمجھا جاتا ہے۔

درجہ بندی: چینل کے مواد کی قسم اور ہر N-چینل اور P-چینل دو کے موصل گیٹ کی قسم کے مطابق؛ کوندکٹو موڈ کے مطابق: MOSFET کو کمی اور اضافہ میں تقسیم کیا گیا ہے، لہذا MOSFET کو N-چینل کی کمی اور اضافہ میں تقسیم کیا گیا ہے۔ پی چینل کی کمی اور چار بڑے زمروں میں اضافہ۔

MOSFET آپریشن کے اصول - کی ساختی خصوصیاتMOSFETیہ کنڈکٹیو میں شامل صرف ایک پولرٹی کیریئرز (پولس) چلاتا ہے، ایک یونی پولر ٹرانجسٹر ہے۔ چلانے کا طریقہ کار کم طاقت والے MOSFET جیسا ہی ہے، لیکن ساخت میں بڑا فرق ہے، کم طاقت والا MOSFET ایک افقی کنڈکٹیو ڈیوائس ہے، زیادہ تر پاور MOSFET عمودی کنڈکٹیو ڈھانچہ ہے، جسے VMOSFET بھی کہا جاتا ہے، جو MOSFET کو بہت بہتر بناتا ہے۔ ڈیوائس وولٹیج اور کرنٹ برداشت کرنے کی صلاحیت۔ اہم خصوصیت یہ ہے کہ دھاتی گیٹ اور چینل کے درمیان سلکا کی موصلیت کی ایک تہہ موجود ہے، اور اس وجہ سے اس میں زیادہ ان پٹ مزاحمت ہوتی ہے، ٹیوب n ڈفیوژن زون کے دو اعلی ارتکاز میں چلتی ہے تاکہ ایک این قسم کا کنڈکٹیو چینل بن سکے۔ n-چینل بڑھانے والے MOSFETs کو گیٹ پر فارورڈ تعصب کے ساتھ لاگو کیا جانا چاہیے، اور صرف اس صورت میں جب گیٹ سورس وولٹیج n-چینل MOSFET کے ذریعے تیار کردہ کنڈکٹیو چینل کے تھریشولڈ وولٹیج سے زیادہ ہو۔ n-channel depletion type MOSFETs n-channel MOSFETs ہیں جن میں کنڈکٹنگ چینلز اس وقت تیار ہوتے ہیں جب کوئی گیٹ وولٹیج لاگو نہیں ہوتا ہے (گیٹ سورس وولٹیج صفر ہے)۔

MOSFET کے آپریشن کا اصول یہ ہے کہ VGS کا استعمال کرتے ہوئے "حوصلہ افزائی چارج" کی مقدار کو کنٹرول کیا جائے تاکہ "انڈسڈ چارج" کے ذریعے بننے والے کوندکٹو چینل کی حالت کو تبدیل کیا جا سکے، اور پھر ڈرین کرنٹ کو کنٹرول کرنے کا مقصد حاصل کیا جا سکے۔ ٹیوبوں کی تیاری میں، مثبت آئنوں کی ایک بڑی تعداد کے ابھرنے میں پرت کی موصلیت کے عمل کے ذریعے، لہذا انٹرفیس کے دوسری طرف زیادہ منفی چارج کی حوصلہ افزائی کی جا سکتی ہے، یہ منفی چارجز N میں نجاست کی اعلی رسائی کے لئے ایک conductive چینل کی تشکیل سے منسلک خطہ، یہاں تک کہ VGS = 0 میں بھی ایک بڑی رساو موجودہ ID ہے۔ جب گیٹ وولٹیج کو تبدیل کیا جاتا ہے تو، چینل میں لگائے جانے والے چارج کی مقدار بھی تبدیل ہو جاتی ہے، اور کنڈکٹیو چینل کی چوڑائی اور چینل کی تنگی اور تبدیلی، اور اس طرح گیٹ وولٹیج کے ساتھ لیکیج کرنٹ ID۔ موجودہ ID گیٹ وولٹیج کے ساتھ مختلف ہوتی ہے۔

اب کی درخواستMOSFETہمارے معیار زندگی کو بہتر بناتے ہوئے لوگوں کے سیکھنے، کام کی کارکردگی کو بہت بہتر بنایا ہے۔ ہمارے پاس کچھ آسان فہم کے ذریعے اس کی زیادہ معقول سمجھ ہے۔ نہ صرف اسے ایک آلے کے طور پر استعمال کیا جائے گا، اس کی خصوصیات، کام کے اصول کے بارے میں مزید سمجھنا، جس سے ہمیں بہت مزہ بھی ملے گا۔