ہائی پاور MOSFET ہیٹ ڈسپیشن ڈیوائس کے پروڈکشن کے طریقے کے بارے میں مختصراً بات کریں۔

گرمی کی کھپت کے آلے میں ایک کھوکھلا ڈھانچہ کیسنگ 100 اور ایک سرکٹ بورڈ 101 شامل ہے۔ سرکٹ بورڈ 101 کو کیسنگ 100 میں ترتیب دیا گیا ہے۔ متعدد ساتھ ساتھ MOSFETs 102 سرکٹ بورڈ 101 کے دونوں سروں سے پنوں کے ذریعے جڑے ہوئے ہیں۔ اس میں MOSFET 102 کو کمپریس کرنے کے لیے گرمی کی کھپت کا دباؤ بلاک 103 بھی شامل ہے تاکہ MOSFET 102 ہاؤسنگ 100 کی اندرونی دیوار کے قریب ہو۔ گرمی کی کھپت کے دباؤ والے بلاک 103 میں پہلا گردش کرنے والا واٹر چینل 104 ہے جو اس میں سے گزرتا ہے۔ پہلا گردش کرنے والا واٹر چینل 104 عمودی طور پر کئی ساتھ ساتھ MOSFETs 102 کے ساتھ ترتیب دیا گیا ہے۔
گرمی کی کھپت کا دباؤ بلاک 103 MOSFET 102 کو ہاؤسنگ 100 کی اندرونی دیوار کے خلاف دباتا ہے، اور MOSFET 102 کی حرارت کا کچھ حصہ ہاؤسنگ 100 تک پہنچایا جاتا ہے۔ گرمی کا ایک اور حصہ ہیٹ ڈسپیشن بلاک 103 میں جاتا ہے، اور ہاؤسنگ 100 گرمی کو ہوا میں پھیلا دیتا ہے۔ گرمی کی کھپت بلاک 103 کی حرارت پہلے گردش کرنے والے پانی کے چینل 104 میں ٹھنڈا پانی لے جاتا ہے، جو MOSFET 102 کے گرمی کی کھپت کے اثر کو بہتر بناتا ہے۔ 100 گرمی کی کھپت کے دباؤ کے بلاک 103 پر بھی چلایا جاتا ہے۔ لہذا، گرمی کی کھپت کا دباؤ بلاک 103 ہاؤسنگ 100 میں درجہ حرارت کو مزید کم کر سکتا ہے اور ہاؤسنگ 100 میں دیگر اجزاء کی کام کرنے کی کارکردگی اور سروس کی زندگی کو بہتر بنا سکتا ہے۔ کیسنگ 100 کا ڈھانچہ کھوکھلا ہے، اس لیے کیسنگ 100 میں گرمی آسانی سے جمع نہیں ہوتی، اس طرح سرکٹ بورڈ 101 کو زیادہ گرم ہونے اور جلنے سے روکتا ہے۔ ہاؤسنگ 100 کی سائیڈ وال کو پہلے گردش کرنے والے واٹر چینل 104 کے متوازی دوسرا گردش کرنے والا واٹر چینل 105 فراہم کیا گیا ہے، اور دوسرا گردش کرنے والا واٹر چینل 105 اسی MOSFET 102 کے قریب ہے۔ ہاؤسنگ 100 کی بیرونی دیوار گرمی کی کھپت کی نالی 108 کے ساتھ فراہم کی گئی ہے۔ ہاؤسنگ 100 کی حرارت بنیادی طور پر دوسرے گردش کرنے والے واٹر چینل 105 میں ٹھنڈے پانی کے ذریعے دور کی جاتی ہے۔ گرمی کا ایک اور حصہ گرمی کی کھپت نالی 108 کے ذریعے منتشر ہوتا ہے، جو ہاؤسنگ 100 کے گرمی کی کھپت کے اثر کو بہتر بناتا ہے۔ گرمی کی کھپت کا دباؤ بلاک 103 کئی تھریڈڈ سوراخوں کے ساتھ فراہم کیا جاتا ہے 107۔ گرمی کی کھپت کے دباؤ کا بلاک 103 مستقل طور پر منسلک ہوتا ہے۔ ہاؤسنگ کی اندرونی دیوار 100 پیچ کے ذریعے۔ سکرو کو ہاؤسنگ 100 کی سائیڈ دیواروں پر تھریڈڈ سوراخوں سے گرمی کی کھپت کے دباؤ والے بلاک 103 کے تھریڈڈ سوراخوں میں گھسایا جاتا ہے۔

موجودہ ایجاد میں، ایک کنیکٹنگ ٹکڑا 109 گرمی کی کھپت کے دباؤ کے بلاک 103 کے کنارے سے پھیلا ہوا ہے۔ کنیکٹنگ ٹکڑا 109 کو متعدد تھریڈڈ ہولز 107 کے ساتھ فراہم کیا گیا ہے۔ کنیکٹنگ ٹکڑا 109 ہاؤسنگ 100 کی اندرونی دیوار سے مستقل طور پر جڑا ہوا ہے۔ پیچ کے ذریعے. سرکٹ بورڈ 101 کو سپورٹ کرنے کے لیے ہاؤسنگ 100 کی اندرونی دیوار کے دونوں جانب سپورٹ بارز 106 فراہم کیے گئے ہیں۔ جب ہیٹ ڈسپیشن پریشر بلاک 103 ہاؤسنگ 100 کی اندرونی دیوار سے مستقل طور پر جڑا ہوتا ہے، تو سرکٹ بورڈ 101 کو دبایا جاتا ہے۔ ہیٹ ڈسپیشن پریشر بلاک 103 اور سپورٹ بارز 106 کی سائیڈ وال والز۔ انسٹالیشن کے دوران، سرکٹ بورڈ 101 کو پہلے سپورٹ بار 106 کی سطح پر رکھا جاتا ہے، اور ہیٹ ڈسپیشن پریشر بلاک 103 کے نچلے حصے کو اوپری سطح پر دبایا جاتا ہے۔ سرکٹ بورڈ 101 کا۔ پھر، گرمی کی کھپت کے دباؤ والے بلاک 103 کو سکرو کے ساتھ ہاؤسنگ 100 کی اندرونی دیوار پر لگایا جاتا ہے۔ سرکٹ بورڈ 101 کی تنصیب اور ہٹانے میں سہولت فراہم کرنے کے لیے ہیٹ ڈسپیشن پریشر بلاک 103 اور سپورٹ بار 106 کے درمیان ایک کلیمپنگ نالی بنتی ہے۔ اسی وقت، سرکٹ بورڈ 101 گرمی کی کھپت کے قریب ہے۔ پریشر بلاک 103 لہٰذا، سرکٹ بورڈ 101 کی طرف سے پیدا ہونے والی حرارت کو گرمی کی کھپت کے دباؤ کے بلاک 103 تک پہنچایا جاتا ہے، اور گرمی کی کھپت کے دباؤ کے بلاک 103 کو پہلے گردش کرنے والے پانی کے چینل 104 میں ٹھنڈا پانی لے جاتا ہے، اس طرح سرکٹ بورڈ 101 کو زیادہ گرم ہونے سے روکتا ہے۔ اور جل رہا ہے. ترجیحی طور پر، ایک موصلی فلم MOSFET 102 اور ہاؤسنگ 100 کی اندرونی دیوار کے درمیان تصرف کی جاتی ہے، اور حرارت کی کھپت کے دباؤ والے بلاک 103 اور MOSFET 102 کے درمیان ایک موصلی فلم کو ٹھکانے لگایا جاتا ہے۔

ایک ہائی پاور MOSFET گرمی کی کھپت کے آلے میں ایک کھوکھلی ڈھانچہ کیسنگ 200 اور ایک سرکٹ بورڈ 202 شامل ہے۔ سرکٹ بورڈ 202 کو کیسنگ 200 میں ترتیب دیا گیا ہے۔ متعدد ساتھ ساتھ MOSFETs 202 بالترتیب سرکٹ کے دونوں سروں سے جڑے ہوئے ہیں۔ بورڈ 202 کو پنوں کے ذریعے، اور اس میں MOSFETs 202 کو کمپریس کرنے کے لیے گرمی کی کھپت کا دباؤ بلاک 203 بھی شامل ہے تاکہ MOSFETs 202 ہاؤسنگ 200 کی اندرونی دیوار کے قریب ہوں۔ پہلا گردش کرنے والا واٹر چینل 204 ہیٹ ڈسپیشن پریشر بلاک 203 سے گزرتا ہے۔ پہلا گردش کرنے والا واٹر چینل 204 عمودی طور پر کئی ساتھ ساتھ MOSFETs 202 کے ساتھ ترتیب دیا گیا ہے۔ خول کی سائیڈ وال کو گرمی کی کھپت کے پائپ 205 کے ساتھ کھڑا کیا گیا ہے۔ پہلا گردش کرنے والا واٹر چینل 204، اور گرمی کی کھپت پائپ 205 کے ایک سرے کو گرمی کی کھپت کا باڈی 206 فراہم کیا جاتا ہے۔ دوسرا سرا بند ہے، اور گرمی کی کھپت کا باڈی 206 اور حرارت کی کھپت پائپ 205 ایک بند اندرونی گہا بناتی ہے، اور ریفریجرینٹ اندرونی گہا میں ترتیب دیا جاتا ہے. MOSFET 202 گرمی پیدا کرتا ہے اور ریفریجرینٹ کو بخارات بناتا ہے۔ بخارات بناتے وقت، یہ حرارتی سرے سے گرمی کو جذب کرتا ہے (MOSFET 202 کے اختتام کے قریب)، اور پھر حرارتی سرے سے کولنگ اینڈ (MOSFET 202 کے سرے سے دور) تک بہتا ہے۔ جب اسے ٹھنڈک کے اختتام پر سردی کا سامنا کرنا پڑتا ہے، تو یہ ٹیوب کی دیوار کے بیرونی حصے میں حرارت جاری کرتا ہے۔ اس کے بعد مائع حرارتی سرے پر بہتا ہے، اس طرح گرمی کی کھپت کا سرکٹ بنتا ہے۔ بخارات اور مائع کے ذریعے گرمی کی یہ کھپت روایتی ہیٹ کنڈکٹرز کی گرمی کی کھپت سے کہیں زیادہ بہتر ہے۔ ہیٹ ڈسپیشن باڈی 206 میں ہیٹ ڈسپیپشن رِنگ 207 شامل ہے جو ہیٹ ڈسپیپشن پائپ 205 سے مستقل طور پر جڑا ہوا ہے اور ہیٹ ڈسپیپشن فن 208 جو کہ ہیٹ ڈسپیپشن رنگ 207 سے جڑا ہوا ہے۔ گرمی کی کھپت کا فن 208 بھی ٹھنڈے پنکھے 209 سے جڑا ہوا ہے۔

گرمی کی کھپت کی انگوٹی 207 اور گرمی کی کھپت پائپ 205 میں ایک طویل فٹنگ فاصلہ ہے، تاکہ گرمی کی کھپت کی انگوٹی 207 گرمی کی کھپت کے پائپ 205 میں گرمی کو تیزی سے گرمی کی کھپت کو حاصل کرنے کے لئے ہیٹ سنک 208 میں منتقل کر سکے۔