N-Channel MOSFET، N-Channel Metal-Oxide-Semiconductor Field-effect Transistor، MOSFET کی ایک اہم قسم ہے۔ ذیل میں N-channel MOSFETs کی تفصیلی وضاحت ہے:
I. بنیادی ساخت اور ساخت
ایک N-چینل MOSFET مندرجہ ذیل اہم اجزاء پر مشتمل ہے:
گیٹ:کنٹرول ٹرمینل، ذریعہ اور نالی کے درمیان conductive چینل کو کنٹرول کرنے کے لئے گیٹ وولٹیج کو تبدیل کرکے.· ·
ماخذ:موجودہ اخراج، عام طور پر سرکٹ کے منفی پہلو سے منسلک ہوتا ہے۔· ·
ڈرین: موجودہ آمد، عام طور پر سرکٹ کے بوجھ سے منسلک ہوتا ہے۔
سبسٹریٹ:عام طور پر ایک P قسم کا سیمی کنڈکٹر مواد، جو MOSFETs کے لیے سبسٹریٹ کے طور پر استعمال ہوتا ہے۔
انسولیٹر：گیٹ اور چینل کے درمیان واقع ہے، یہ عام طور پر سلکان ڈائی آکسائیڈ (SiO2) سے بنا ہوتا ہے اور ایک انسولیٹر کا کام کرتا ہے۔
II آپریشن کا اصول
N-channel MOSFET کا آپریٹنگ اصول الیکٹرک فیلڈ ایفیکٹ پر مبنی ہے، جو اس طرح آگے بڑھتا ہے:
کٹ آف کی حیثیت:جب گیٹ وولٹیج (Vgs) تھریشولڈ وولٹیج (Vt) سے کم ہوتا ہے، تو گیٹ کے نیچے P-ٹائپ سبسٹریٹ میں N-type conducting channel نہیں بنتا، اور اس وجہ سے منبع اور ڈرین کے درمیان کٹ آف حالت اپنی جگہ پر ہوتی ہے۔ اور کرنٹ نہیں چل سکتا۔
چالکتا کی حالت:جب گیٹ وولٹیج (Vgs) تھریشولڈ وولٹیج (Vt) سے زیادہ ہوتا ہے، تو گیٹ کے نیچے P-ٹائپ سبسٹریٹ میں سوراخوں کو پیچھے ہٹا دیا جاتا ہے، جس سے ایک کمی کی تہہ بنتی ہے۔ گیٹ وولٹیج میں مزید اضافے کے ساتھ، الیکٹران P-قسم کے سبسٹریٹ کی سطح کی طرف متوجہ ہوتے ہیں، ایک N-ٹائپ کنڈکٹنگ چینل بناتے ہیں۔ اس مقام پر، ذریعہ اور نالی کے درمیان ایک راستہ بنتا ہے اور کرنٹ بہہ سکتا ہے۔
III اقسام اور خصوصیات
N-channel MOSFETs کو ان کی خصوصیات کے مطابق مختلف اقسام میں درجہ بندی کیا جا سکتا ہے، جیسے Enhancement-Mode اور Depletion-Mode۔ ان میں سے، Enhancement-Mode MOSFETs کٹ آف حالت میں ہوتے ہیں جب گیٹ وولٹیج صفر ہوتا ہے، اور چلانے کے لیے مثبت گیٹ وولٹیج لگانے کی ضرورت ہوتی ہے۔ جب کہ گیٹ وولٹیج صفر ہونے پر Depletion-Mode MOSFETs پہلے ہی کنڈکٹیو حالت میں ہوتے ہیں۔
N-channel MOSFETs میں بہت ساری عمدہ خصوصیات ہیں جیسے:
اعلی ان پٹ رکاوٹ:MOSFET کے گیٹ اور چینل کو ایک موصل پرت کے ذریعے الگ تھلگ کیا جاتا ہے، جس کے نتیجے میں ان پٹ کی رکاوٹ بہت زیادہ ہوتی ہے۔
کم شور:چونکہ MOSFETs کے آپریشن میں اقلیتی کیریئرز کے انجیکشن اور کمپاؤنڈنگ شامل نہیں ہے، اس لیے شور کم ہے۔
کم بجلی کی کھپت: MOSFETs کی آن اور آف دونوں ریاستوں میں بجلی کی کھپت کم ہے۔
تیز رفتار سوئچنگ کی خصوصیات:MOSFETs میں انتہائی تیز رفتار سوئچنگ ہوتی ہے اور یہ ہائی فریکوئنسی سرکٹس اور ہائی سپیڈ ڈیجیٹل سرکٹس کے لیے موزوں ہیں۔
چہارم درخواست کے علاقے
N-channel MOSFETs کو ان کی بہترین کارکردگی کی وجہ سے مختلف الیکٹرانک آلات میں وسیع پیمانے پر استعمال کیا جاتا ہے، جیسے:
ڈیجیٹل سرکٹس:لاجک گیٹ سرکٹس کے بنیادی عنصر کے طور پر، یہ ڈیجیٹل سگنلز کی پروسیسنگ اور کنٹرول کو لاگو کرتا ہے۔
ینالاگ سرکٹس:اینالاگ سرکٹس جیسے ایمپلیفائرز اور فلٹرز میں کلیدی جزو کے طور پر استعمال ہوتا ہے۔
پاور الیکٹرانکس:پاور الیکٹرانک آلات جیسے سوئچنگ پاور سپلائیز اور موٹر ڈرائیوز کے کنٹرول کے لیے استعمال کیا جاتا ہے۔
دیگر علاقے:جیسے کہ ایل ای ڈی لائٹنگ، آٹوموٹو الیکٹرانکس، وائرلیس کمیونیکیشنز اور دیگر فیلڈز بھی بڑے پیمانے پر استعمال ہوتے ہیں۔
خلاصہ یہ کہ N-channel MOSFET، ایک اہم سیمی کنڈکٹر ڈیوائس کے طور پر، جدید الیکٹرانک ٹیکنالوجی میں ایک ناقابل تلافی کردار ادا کرتا ہے۔
پوسٹ ٹائم: ستمبر 13-2024
