1, MOSFETتعارف
فیلڈ ایفیکٹ ٹرانزسٹر کا مخفف (FET)) عنوان MOSFET۔ گرمی کی ترسیل میں حصہ لینے کے لیے کیریئرز کی ایک چھوٹی سی تعداد کے ذریعے، جسے ملٹی پول ٹرانجسٹر بھی کہا جاتا ہے۔ یہ وولٹیج ماسٹرنگ ٹائپ سیمی سپر کنڈکٹر میکانزم سے تعلق رکھتا ہے۔ آؤٹ پٹ مزاحمت زیادہ ہے (10^8 ~ 10^9Ω)، کم شور، کم بجلی کی کھپت، جامد رینج، ضم کرنے میں آسان، کوئی دوسری خرابی نہیں، سمندری چوڑائی کا انشورنس ٹاسک اور دیگر فوائد، اب تبدیل ہو چکے ہیں۔ دو قطبی ٹرانجسٹر اور مضبوط ساتھیوں کا پاور جنکشن ٹرانزسٹر۔
2، MOSFET خصوصیات
1، MOSFET ایک وولٹیج کنٹرول ڈیوائس ہے، یہ VGS (گیٹ سورس وولٹیج) کنٹرول آئی ڈی (ڈرین ڈی سی) کے ذریعے؛
2, MOSFET کیآؤٹ پٹ ڈی سی قطب چھوٹا ہے، لہذا آؤٹ پٹ مزاحمت بڑی ہے.
3، یہ حرارت کو چلانے کے لیے بہت کم تعداد میں کیریئرز کا استعمال ہے، اس لیے اس کے پاس استحکام کا بہتر پیمانہ ہے۔
4، یہ برقی کمی گتانک کی کمی کے راستے پر مشتمل ہوتا ہے اس سے چھوٹا ہوتا ہے ٹرائیوڈ کمی کے گتانک کی کمی کے راستے پر مشتمل ہوتا ہے۔
5، MOSFET مخالف شعاع ریزی کی صلاحیت؛
6، شور کے بکھرے ہوئے ذرات کی وجہ سے اولیگون بازی کی ناقص سرگرمی کی عدم موجودگی کی وجہ سے، لہذا شور کم ہے۔
3، MOSFET کام کا اصول
MOSFET کیایک جملے میں آپریٹنگ اصول ہے، "ڈرین - گیٹ کے لیے چینل کے ذریعے بہنے والی ID اور گیٹ وولٹیج ماسٹر ID کے ریورس تعصب سے بننے والے pn جنکشن کے درمیان چینل کے درمیان ماخذ"، قطعی طور پر، ID چوڑائی سے گزرتی ہے۔ پاتھ کا، یعنی چینل کراس سیکشنل ایریا، pn جنکشن کے ریورس بائیس میں تبدیلی ہے، جس سے ڈیپلیشن پرت پیدا ہوتی ہے توسیعی تغیر کنٹرول کی وجہ۔ VGS=0 کے غیر سیر شدہ سمندر میں، چونکہ ٹرانزیشن پرت کی توسیع زیادہ بڑی نہیں ہے، اس لیے ڈرین سورس کے درمیان VDS کے مقناطیسی میدان کے اضافے کے مطابق، سورس سمندر میں کچھ الیکٹرانز کو کھینچ کر کھینچ لیا جاتا ہے۔ ڈرین، یعنی، ڈرین سے ماخذ تک ڈی سی آئی ڈی کی سرگرمی ہوتی ہے۔ گیٹ سے ڈرین تک بڑھی ہوئی درمیانی تہہ چینل کے پورے جسم کو بلاک کرنے والی قسم کی شکل بناتی ہے، ID فل۔ اس فارم کو پنچ آف کہیں۔ ایک مکمل رکاوٹ کے چینل پر منتقلی پرت کی علامت، بجائے ڈی سی پاور منقطع ہے.
چونکہ ٹرانزیشن پرت میں الیکٹرانوں اور سوراخوں کی کوئی آزاد حرکت نہیں ہوتی ہے، اس لیے اس میں مثالی شکل میں تقریباً موصلی خصوصیات ہیں، اور عام کرنٹ کا بہنا مشکل ہے۔ لیکن پھر ڈرین کے درمیان برقی میدان - ماخذ، درحقیقت، دو ٹرانزیشن پرت نچلے حصے کے قریب ڈرین اور گیٹ پول سے رابطہ کرتی ہے، کیونکہ ڈرفٹ الیکٹرک فیلڈ ٹرانزیشن پرت کے ذریعے تیز رفتار الیکٹرانوں کو کھینچتی ہے۔ بڑھے ہوئے میدان کی شدت تقریباً مستقل ہے جو ID منظر کی بھرپوریت پیدا کرتی ہے۔
سرکٹ ایک بہتر P-چینل MOSFET اور ایک بہتر N-چینل MOSFET کا مجموعہ استعمال کرتا ہے۔ جب ان پٹ کم ہوتا ہے، P-چینل MOSFET کرتا ہے اور آؤٹ پٹ پاور سپلائی کے مثبت ٹرمینل سے منسلک ہوتا ہے۔ جب ان پٹ زیادہ ہوتا ہے، N-چینل MOSFET کرتا ہے اور آؤٹ پٹ پاور سپلائی گراؤنڈ سے منسلک ہوتا ہے۔ اس سرکٹ میں، P-چینل MOSFET اور N-چینل MOSFET ہمیشہ مخالف ریاستوں میں کام کرتے ہیں، ان کے فیز ان پٹ اور آؤٹ پٹ الٹ ہوتے ہیں۔
پوسٹ ٹائم: اپریل 30-2024
