MOSFET کے کام کرنے والے اصول کو سمجھیں اور الیکٹرانک اجزاء کو زیادہ مؤثر طریقے سے لاگو کریں۔

خبریں

MOSFET کے کام کرنے والے اصول کو سمجھیں اور الیکٹرانک اجزاء کو زیادہ مؤثر طریقے سے لاگو کریں۔

MOSFETs (Metal-Oxide-Semiconductor Field-effect Transistors) کے آپریشنل اصولوں کو سمجھنا ان اعلیٰ کارکردگی والے الیکٹرانک اجزاء کو مؤثر طریقے سے استعمال کرنے کے لیے بہت ضروری ہے۔ MOSFETs الیکٹرانک آلات میں ناگزیر عناصر ہیں، اور ان کو سمجھنا مینوفیکچررز کے لیے ضروری ہے۔

عملی طور پر، ایسے مینوفیکچررز ہیں جو اپنی درخواست کے دوران MOSFETs کے مخصوص افعال کی پوری طرح تعریف نہیں کرسکتے ہیں۔ اس کے باوجود، الیکٹرانک آلات میں MOSFETs کے کام کرنے والے اصولوں اور ان کے متعلقہ کرداروں کو سمجھ کر، کوئی بھی اس کی منفرد خصوصیات اور مصنوعات کی مخصوص خصوصیات کو مدنظر رکھتے ہوئے، حکمت عملی کے ساتھ سب سے موزوں MOSFET کا انتخاب کر سکتا ہے۔ یہ طریقہ مصنوعات کی کارکردگی کو بڑھاتا ہے، مارکیٹ میں اس کی مسابقت کو بڑھاتا ہے۔

WINSOK MOSFET SOT-23-3L پیکیج

WINSOK SOT-23-3 پیکیج MOSFET

MOSFET کے کام کرنے والے اصول

جب MOSFET کا گیٹ سورس وولٹیج (VGS) صفر ہوتا ہے، یہاں تک کہ ڈرین سورس وولٹیج (VDS) کے اطلاق کے ساتھ بھی، الٹا تعصب میں ہمیشہ PN جنکشن ہوتا ہے، جس کے نتیجے میں کوئی کنڈکٹیو چینل (اور کوئی کرنٹ) نہیں ہوتا ہے۔ MOSFET کا نالی اور ذریعہ۔ اس حالت میں، MOSFET کا ڈرین کرنٹ (ID) صفر ہے۔ گیٹ اور سورس (VGS > 0) کے درمیان مثبت وولٹیج لگانے سے MOSFET کے گیٹ اور سلیکان سبسٹریٹ کے درمیان SiO2 انسولیٹنگ پرت میں الیکٹرک فیلڈ بنتا ہے، جو گیٹ سے P-ٹائپ سلکان سبسٹریٹ کی طرف جاتا ہے۔ یہ دیکھتے ہوئے کہ آکسائیڈ کی تہہ موصلیت کا باعث ہے، گیٹ پر لگائی جانے والی وولٹیج، VGS، MOSFET میں کرنٹ پیدا نہیں کر سکتی۔ اس کے بجائے، یہ آکسائیڈ پرت کے پار ایک کپیسیٹر بناتا ہے۔

جیسے جیسے VGS بتدریج بڑھتا ہے، کپیسیٹر چارج ہو جاتا ہے، ایک برقی میدان بناتا ہے۔ گیٹ پر مثبت وولٹیج کی طرف متوجہ ہو کر، کیپسیٹر کے دوسری طرف متعدد الیکٹران جمع ہو جاتے ہیں، جو MOSFET میں نالی سے ماخذ تک ایک N-قسم کا کنڈکٹیو چینل بناتا ہے۔ جب VGS تھریشولڈ وولٹیج VT (عام طور پر 2V کے ارد گرد) سے تجاوز کر جاتا ہے، MOSFET کا N-چینل نالی کرنٹ ID کے بہاؤ کو شروع کرتا ہے۔ گیٹ سورس وولٹیج جس پر چینل بننا شروع ہوتا ہے اسے تھریشولڈ وولٹیج VT کہا جاتا ہے۔ VGS کی شدت کو کنٹرول کرکے، اور اس کے نتیجے میں برقی میدان، MOSFET میں ڈرین کرنٹ ID کے سائز کو ماڈیول کیا جا سکتا ہے۔

WINSOK MOSFET DFN5X6-8L پیکیج

WINSOK DFN5x6-8 پیکیج MOSFET

MOSFET ایپلی کیشنز

MOSFET اپنی بہترین سوئچنگ خصوصیات کے لیے مشہور ہے، جس کی وجہ سے سرکٹس میں اس کا وسیع اطلاق ہوتا ہے جس میں الیکٹرانک سوئچز کی ضرورت ہوتی ہے، جیسے کہ سوئچ موڈ پاور سپلائیز۔ 5V پاور سپلائی کا استعمال کرتے ہوئے کم وولٹیج ایپلی کیشنز میں، روایتی ڈھانچے کے استعمال کے نتیجے میں بائپولر جنکشن ٹرانزسٹر (تقریبا 0.7V) کے بیس ایمیٹر پر وولٹیج گر ​​جاتا ہے، جس کے گیٹ پر لاگو ہونے والے حتمی وولٹیج کے لیے صرف 4.3V رہ جاتا ہے۔ MOSFET. ایسے حالات میں، 4.5V کے برائے نام گیٹ وولٹیج کے ساتھ MOSFET کا انتخاب بعض خطرات کو متعارف کرایا جاتا ہے۔ یہ چیلنج 3V یا دیگر کم وولٹیج پاور سپلائیز پر مشتمل ایپلی کیشنز میں بھی ظاہر ہوتا ہے۔


پوسٹ ٹائم: اکتوبر 27-2023