سوئچنگ عناصر کے طور پر، MOSFET اور IGBT اکثر الیکٹرانک سرکٹس میں ظاہر ہوتے ہیں۔ وہ ظاہری شکل اور خصوصیت کے پیرامیٹرز میں بھی ایک جیسے ہیں۔ مجھے یقین ہے کہ بہت سے لوگ حیران ہوں گے کہ کیوں کچھ سرکٹس کو MOSFET استعمال کرنے کی ضرورت ہے، جبکہ دوسرے کرتے ہیں۔ آئی جی بی ٹی؟
ان میں کیا فرق ہے؟ اگلا،اولوکیآپ کے سوالات کا جواب دیں گے!
کیا ہے aMOSFET?
MOSFET، مکمل چینی نام دھاتی آکسائیڈ سیمی کنڈکٹر فیلڈ ایفیکٹ ٹرانزسٹر ہے۔ چونکہ اس فیلڈ ایفیکٹ ٹرانزسٹر کا گیٹ ایک انسولیٹنگ پرت کے ذریعے الگ تھلگ ہوتا ہے، اس لیے اسے انسولیٹڈ گیٹ فیلڈ ایفیکٹ ٹرانزسٹر بھی کہا جاتا ہے۔ MOSFET کو دو اقسام میں تقسیم کیا جا سکتا ہے: "N-type" اور "P-type" اس کے "چینل" (ورکنگ کیریئر) کی قطبیت کے مطابق، جسے عام طور پر N MOSFET اور P MOSFET بھی کہا جاتا ہے۔
MOSFET کا خود اپنا پرجیوی ڈایڈڈ ہے، جو MOSFET کو جب VDD زیادہ وولٹیج ہو تو اسے جلنے سے روکنے کے لیے استعمال ہوتا ہے۔ کیونکہ اس سے پہلے کہ اوور وولٹیج MOSFET کو نقصان پہنچاتی ہے، ڈائیوڈ پہلے الٹا ٹوٹ جاتا ہے اور بڑے کرنٹ کو زمین کی طرف لے جاتا ہے، اس طرح MOSFET کو جلنے سے روکتا ہے۔
IGBT کیا ہے؟
IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) ایک کمپاؤنڈ سیمی کنڈکٹر ڈیوائس ہے جو ایک ٹرانجسٹر اور MOSFET پر مشتمل ہے۔
IGBT کے سرکٹ علامتیں ابھی تک متحد نہیں ہیں۔ اسکیمیٹک ڈایاگرام بناتے وقت، عام طور پر ٹرائیوڈ اور MOSFET کی علامتیں مستعار لی جاتی ہیں۔ اس وقت، آپ یہ فیصلہ کر سکتے ہیں کہ آیا یہ IGBT ہے یا MOSFET اسکیمیٹک ڈایاگرام پر نشان زد ماڈل سے۔
ایک ہی وقت میں، آپ کو اس بات پر بھی توجہ دینی چاہیے کہ آیا آئی جی بی ٹی میں باڈی ڈائیوڈ ہے۔ اگر تصویر پر نشان نہیں ہے تو اس کا مطلب یہ نہیں ہے کہ یہ موجود نہیں ہے۔ جب تک کہ سرکاری اعداد و شمار خاص طور پر دوسری صورت میں بیان نہ کریں، یہ ڈایڈڈ موجود ہے۔ IGBT کے اندر موجود باڈی ڈائیوڈ پرجیوی نہیں ہے، لیکن خاص طور پر IGBT کے کمزور ریورسسٹنٹ وولٹیج کی حفاظت کے لیے ترتیب دیا گیا ہے۔ اسے FWD (freewheeling diode) بھی کہا جاتا ہے۔
دونوں کی اندرونی ساخت مختلف ہے۔
MOSFET کے تین کھمبے سورس (S)، ڈرین (D) اور گیٹ (G) ہیں۔
IGBT کے تین قطب کلیکٹر (C)، ایمیٹر (E) اور گیٹ (G) ہیں۔
MOSFET کے ڈرین میں ایک اضافی پرت شامل کرکے ایک IGBT بنایا جاتا ہے۔ ان کی اندرونی ساخت اس طرح ہے:
دونوں کے ایپلیکیشن فیلڈز مختلف ہیں۔
MOSFET اور IGBT کے اندرونی ڈھانچے مختلف ہیں، جو ان کے اطلاق کے شعبوں کا تعین کرتے ہیں۔
MOSFET کی ساخت کی وجہ سے، یہ عام طور پر ایک بڑا کرنٹ حاصل کر سکتا ہے، جو KA تک پہنچ سکتا ہے، لیکن شرطی وولٹیج برداشت کرنے کی صلاحیت IGBT کی طرح مضبوط نہیں ہے۔ اس کے اہم اطلاق والے علاقوں میں سوئچنگ پاور سپلائی، بیلسٹس، ہائی فریکوئنسی انڈکشن ہیٹنگ، ہائی فریکوئنسی انورٹر ویلڈنگ مشینیں، کمیونیکیشن پاور سپلائیز اور دیگر ہائی فریکوئنسی پاور سپلائی فیلڈز ہیں۔
IGBT بہت زیادہ طاقت، کرنٹ اور وولٹیج پیدا کر سکتا ہے، لیکن فریکوئنسی بہت زیادہ نہیں ہے۔ فی الحال، IGBT کی سخت سوئچنگ کی رفتار 100KHZ تک پہنچ سکتی ہے۔ IGBT بڑے پیمانے پر ویلڈنگ مشینوں، انورٹرز، فریکوئنسی کنورٹرز، الیکٹروپلاٹنگ الیکٹرولائٹک پاور سپلائیز، الٹراسونک انڈکشن ہیٹنگ اور دیگر شعبوں میں استعمال ہوتا ہے۔
MOSFET اور IGBT کی اہم خصوصیات
MOSFET میں اعلی ان پٹ رکاوٹ، تیز سوئچنگ کی رفتار، اچھی تھرمل استحکام، وولٹیج کنٹرول کرنٹ وغیرہ کی خصوصیات ہیں۔ سرکٹ میں اسے ایمپلیفائر، الیکٹرانک سوئچ اور دیگر مقاصد کے طور پر استعمال کیا جا سکتا ہے۔
الیکٹرانک سیمی کنڈکٹر ڈیوائس کی ایک نئی قسم کے طور پر، آئی جی بی ٹی میں ہائی ان پٹ مائبادا، کم وولٹیج کنٹرول بجلی کی کھپت، سادہ کنٹرول سرکٹ، ہائی وولٹیج مزاحمت، اور بڑے کرنٹ ٹولرنس کی خصوصیات ہیں، اور مختلف الیکٹرانک سرکٹس میں بڑے پیمانے پر استعمال ہوتی رہی ہے۔
آئی جی بی ٹی کا مثالی مساوی سرکٹ نیچے دی گئی تصویر میں دکھایا گیا ہے۔ IGBT دراصل MOSFET اور ٹرانزسٹر کا مجموعہ ہے۔ MOSFET میں زیادہ مزاحمت کا نقصان ہے، لیکن IGBT اس کمی پر قابو پاتا ہے۔ ہائی وولٹیج پر IGBT کی مزاحمت اب بھی کم ہے۔ .
عام طور پر، MOSFET کا فائدہ یہ ہے کہ اس میں اعلی تعدد کی اچھی خصوصیات ہیں اور یہ سینکڑوں kHz اور MHz تک کی فریکوئنسی پر کام کر سکتی ہے۔ نقصان یہ ہے کہ آن مزاحمت بڑی ہوتی ہے اور ہائی وولٹیج اور ہائی کرنٹ حالات میں بجلی کی کھپت زیادہ ہوتی ہے۔ IGBT کم تعدد اور اعلی طاقت کے حالات میں اچھی کارکردگی کا مظاہرہ کرتا ہے، چھوٹی آن مزاحمت اور زیادہ برداشت کرنے والی وولٹیج کے ساتھ۔
MOSFET یا IGBT کا انتخاب کریں۔
سرکٹ میں، MOSFET کو پاور سوئچ ٹیوب کے طور پر منتخب کرنا ہے یا IGBT ایک ایسا سوال ہے جس کا اکثر انجینئرز کو سامنا ہوتا ہے۔ اگر نظام کی وولٹیج، کرنٹ، اور سوئچنگ پاور جیسے عوامل کو مدنظر رکھا جائے تو درج ذیل نکات کا خلاصہ کیا جا سکتا ہے:
لوگ اکثر پوچھتے ہیں: "کیا MOSFET یا IGBT بہتر ہے؟" درحقیقت دونوں میں اچھے یا برے کا کوئی فرق نہیں ہے۔ سب سے اہم بات یہ ہے کہ اس کا اصل اطلاق دیکھنا ہے۔
اگر آپ کے پاس اب بھی MOSFET اور IGBT کے درمیان فرق کے بارے میں سوالات ہیں، تو آپ تفصیلات کے لیے Olukey سے رابطہ کر سکتے ہیں۔
Olukey بنیادی طور پر WINSOK میڈیم اور کم وولٹیج MOSFET مصنوعات تقسیم کرتا ہے۔ ملٹری انڈسٹری، ایل ای ڈی/ایل سی ڈی ڈرائیور بورڈز، موٹر ڈرائیور بورڈز، فاسٹ چارجنگ، الیکٹرانک سگریٹ، ایل سی ڈی مانیٹر، بجلی کی فراہمی، چھوٹے گھریلو آلات، طبی مصنوعات، اور بلوٹوتھ مصنوعات میں مصنوعات بڑے پیمانے پر استعمال ہوتی ہیں۔ الیکٹرانک اسکیلز، وہیکل الیکٹرانکس، نیٹ ورک پروڈکٹس، گھریلو ایپلائینسز، کمپیوٹر پیری فیرلز اور مختلف ڈیجیٹل مصنوعات۔
پوسٹ ٹائم: دسمبر-18-2023
