ہائی پاور MOSFET کے ڈرائیو سرکٹ کا اصول کیا ہے؟

ایک ہی اعلی طاقت MOSFET، مختلف ڈرائیو سرکٹس کا استعمال مختلف سوئچنگ خصوصیات حاصل کرے گا. ڈرائیو سرکٹ کی اچھی کارکردگی کا استعمال پاور سوئچنگ ڈیوائس کو نسبتاً مثالی سوئچنگ حالت میں کام کر سکتا ہے، جبکہ سوئچنگ کے وقت کو کم کر کے، سوئچنگ کے نقصانات کو کم کر سکتا ہے، آپریٹنگ کارکردگی، وشوسنییتا اور حفاظت کی تنصیب بہت اہمیت کی حامل ہے۔ لہذا، ڈرائیو سرکٹ کے فوائد اور نقصانات براہ راست مرکزی سرکٹ کی کارکردگی کو متاثر کرتے ہیں، ڈرائیو سرکٹ کے ڈیزائن کی معقولیت تیزی سے اہم ہے. Thyristor چھوٹا سائز، ہلکا وزن، اعلی کارکردگی، طویل زندگی، استعمال میں آسان، ریکٹیفائر اور انورٹر کو آسانی سے روک سکتا ہے، اور ریکٹیفائر یا انورٹر کرنٹ کے سائز کو تبدیل کرنے کی بنیاد پر سرکٹ کے ڈھانچے کو تبدیل نہیں کر سکتا۔ IGBT ایک جامع ہے۔ کا آلہMOSFETاور GTR، جس میں تیز رفتار سوئچنگ، اچھی تھرمل استحکام، چھوٹی ڈرائیونگ پاور اور سادہ ڈرائیو سرکٹ کی خصوصیات ہیں، اور چھوٹے آن اسٹیٹ وولٹیج ڈراپ، ہائی برداشت کرنے والے وولٹیج اور ہائی قبولیت کرنٹ کے فوائد ہیں۔ آئی جی بی ٹی کو بطور مین سٹریم پاور آؤٹ پٹ ڈیوائس، خاص طور پر ہائی پاور والی جگہوں پر، عام طور پر مختلف زمروں میں استعمال کیا جاتا رہا ہے۔

 

ہائی پاور MOSFET سوئچنگ ڈیوائسز کے لیے مثالی ڈرائیونگ سرکٹ کو درج ذیل تقاضوں کو پورا کرنا چاہیے:

(1) جب پاور سوئچنگ ٹیوب کو آن کیا جاتا ہے، تو ڈرائیونگ سرکٹ تیزی سے بڑھتا ہوا بیس کرنٹ فراہم کر سکتا ہے، تاکہ جب اسے آن کیا جائے تو ڈرائیونگ کی کافی طاقت ہو، اس طرح ٹرن آن نقصان کو کم کیا جا سکتا ہے۔

(2) سوئچنگ ٹیوب کنڈکشن کے دوران، MOSFET ڈرائیور سرکٹ کی طرف سے فراہم کردہ بیس کرنٹ اس بات کو یقینی بنا سکتا ہے کہ پاور ٹیوب کسی بھی بوجھ کی حالت میں سنترپت ترسیل کی حالت میں ہے، جس سے نسبتاً کم ترسیل کے نقصان کو یقینی بنایا جا سکتا ہے۔ سٹوریج کے وقت کو کم کرنے کے لیے، بند ہونے سے پہلے ڈیوائس کو سنترپتی حالت میں ہونا چاہیے۔

(3) شٹ ڈاؤن، ڈرائیو سرکٹ کو کافی ریورس بیس ڈرائیو فراہم کرنی چاہیے تاکہ اسٹوریج کے وقت کو کم کرنے کے لیے بیس ریجن میں بقیہ کیریئرز کو تیزی سے نکالا جا سکے۔ اور ریورس بائیس کٹ آف وولٹیج شامل کریں، تاکہ لینڈنگ کے وقت کو کم کرنے کے لیے کلکٹر کرنٹ تیزی سے گرے۔ بلاشبہ، تھائرسٹر کا شٹ ڈاؤن اب بھی بنیادی طور پر شٹ ڈاؤن کو مکمل کرنے کے لیے ریورس اینوڈ وولٹیج ڈراپ کے ذریعے ہوتا ہے۔

اس وقت، thyristor ڈرائیو صرف ٹرانسفارمر یا optocoupler تنہائی کے ذریعے کم وولٹیج اختتام اور ہائی وولٹیج اختتام کو الگ کرنے کے لئے، اور پھر thyristor ترسیل کو چلانے کے لئے تبادلوں کے سرکٹ کے ذریعے. زیادہ IGBT ڈرائیو ماڈیول کے موجودہ استعمال کے لئے IGBT پر، لیکن یہ بھی مربوط IGBT، نظام خود کی بحالی، خود تشخیص اور IPM کے دیگر فعال ماڈیولز.

اس مقالے میں، تھائیرسٹر کے لیے جو ہم استعمال کرتے ہیں، تجرباتی ڈرائیو سرکٹ ڈیزائن کرتے ہیں، اور یہ ثابت کرنے کے لیے اصلی ٹیسٹ کو روکتے ہیں کہ یہ تھائیرسٹر کو چلا سکتا ہے۔ جہاں تک IGBT کی ڈرائیو کا تعلق ہے، یہ کاغذ بنیادی طور پر IGBT ڈرائیو کی موجودہ اہم اقسام کے ساتھ ساتھ ان کے متعلقہ ڈرائیو سرکٹ، اور تخروپن کے تجربے کو روکنے کے لیے سب سے زیادہ استعمال ہونے والی آپٹکوپلر آئسولیشن ڈرائیو کو متعارف کراتا ہے۔

 

2. Thyristor ڈرائیو سرکٹ مطالعہ عام طور پر thyristor آپریٹنگ حالات ہیں:

(1) تھائرسٹر ریورس اینوڈ وولٹیج کو قبول کرتا ہے، قطع نظر اس کے کہ گیٹ کس قسم کا وولٹیج قبول کرتا ہے، تھائرسٹر آف حالت میں ہے۔

(2) تھائرسٹر فارورڈ اینوڈ وولٹیج کو قبول کرتا ہے، صرف گیٹ کی صورت میں مثبت وولٹیج کو قبول کرتا ہے جو تھائرسٹر آن ہے۔

(3) تھائرسٹر کنڈکشن کی حالت میں، صرف ایک خاص مثبت اینوڈ وولٹیج، گیٹ وولٹیج سے قطع نظر، تھائرسٹر کنڈکشن پر اصرار کرتا ہے، یعنی تھائرسٹر کنڈکشن کے بعد، گیٹ کھو جاتا ہے۔ (4) ترسیل کی حالت میں تھائرسٹر، جب مین سرکٹ وولٹیج (یا کرنٹ) صفر کے قریب کم ہو جاتا ہے تو تھائرسٹر بند ہو جاتا ہے۔ ہم منتخب کرتے ہیں کہ thyristor TYN1025 ہے، اس کا برداشت کرنے والا وولٹیج 600V سے 1000V ہے، کرنٹ 25A تک ہے۔ اس کے لیے گیٹ ڈرائیو کا وولٹیج 10V سے 20V ہے، ڈرائیو کرنٹ 4mA سے 40mA ہے۔ اور اس کا مینٹیننس کرنٹ 50mA ہے، انجن کا کرنٹ 90mA ہے۔ یا تو DSP یا CPLD ٹرگر سگنل کا طول و عرض 5V تک۔ سب سے پہلے، جب تک کہ 5V کا طول و عرض 24V میں، اور پھر 2:1 تنہائی ٹرانسفارمر کے ذریعے 24V ٹرگر سگنل کو 12V ٹرگر سگنل میں تبدیل کرنے کے لیے، اوپری اور لوئر وولٹیج کی تنہائی کے کام کو مکمل کرتے ہوئے۔

تجرباتی سرکٹ ڈیزائن اور تجزیہ

سب سے پہلے، فروغ سرکٹ، کے پچھلے مرحلے میں تنہائی ٹرانسفارمر سرکٹ کی وجہ سےMOSFETڈیوائس کو 15V ٹرگر سگنل کی ضرورت ہے، لہذا پہلے 5V ٹرگر سگنل کو 15V ٹرگر سگنل میں MC14504 5V سگنل کے ذریعے، 15V سگنل میں تبدیل کرنے کی ضرورت ہے، اور پھر CD4050 کے ذریعے 15V ڈرائیو سگنل کی شکل دینے کے آؤٹ پٹ پر، چینل 2 5V ان پٹ سگنل سے منسلک ہے، چینل 1 آؤٹ پٹ سے منسلک ہے چینل 2 5V ان پٹ سگنل سے منسلک ہے، چینل 1 15V ٹرگر سگنل کے آؤٹ پٹ سے منسلک ہے۔

دوسرا حصہ الگ تھلگ ٹرانسفارمر سرکٹ ہے، سرکٹ کا بنیادی کام یہ ہے: 15V ٹرگر سگنل، 12V ٹرگر سگنل میں تبدیل ہوتا ہے تائیرسٹر کنڈکشن کے پچھلے حصے کو متحرک کرنے کے لیے، اور 15V ٹرگر سگنل اور پیچھے کے درمیان فاصلہ مرحلہ

 

سرکٹ کے کام کا اصول ہے: کی وجہ سےMOSFET15V کی IRF640 ڈرائیو وولٹیج، لہذا، سب سے پہلے، J1 میں 15V مربع لہر سگنل تک رسائی، ریگولیٹر 1N4746 سے منسلک ریزسٹر R4 کے ذریعے، تاکہ ٹرگر وولٹیج مستحکم ہو، بلکہ ٹرگر وولٹیج بھی زیادہ نہ ہو۔ ، MOSFET کو جلا دیا، اور پھر MOSFET IRF640 پر (حقیقت میں، یہ ایک سوئچنگ ٹیوب ہے، کھولنے اور بند ہونے کے پچھلے سرے کا کنٹرول۔ ٹرن آن اور ٹرن آف کے پچھلے سرے کو کنٹرول کریں)، کنٹرول کرنے کے بعد MOSFET کے ٹرن آن اور ٹرن آف ٹائم کو کنٹرول کرنے کے لیے ڈرائیو سگنل کا ڈیوٹی سائیکل۔ جب MOSFET کھلا ہوتا ہے، اس کے D-پول گراؤنڈ کے برابر ہوتا ہے، جب یہ کھلا ہوتا ہے، بیک اینڈ سرکٹ کے بعد 24 V کے برابر ہوتا ہے۔ اور ٹرانسفارمر 12 V آؤٹ پٹ سگنل کے دائیں سرے کو بنانے کے لیے وولٹیج کی تبدیلی کے ذریعے ہوتا ہے۔ . ٹرانسفارمر کا دائیں سرہ ایک ریکٹیفائر پل سے جڑا ہوا ہے، اور پھر 12V سگنل کنیکٹر X1 سے آؤٹ پٹ ہے۔

تجربے کے دوران مسائل کا سامنا کرنا پڑا

سب سے پہلے جب پاور آن کیا گیا تو اچانک فیوز اڑ گیا، بعد میں جب سرکٹ چیک کیا تو معلوم ہوا کہ ابتدائی سرکٹ کے ڈیزائن میں خرابی تھی۔ ابتدائی طور پر، اس کے سوئچنگ ٹیوب آؤٹ پٹ کے اثر کو بہتر بنانے کے لیے، 24V گراؤنڈ اور 15V گراؤنڈ علیحدگی، جو MOSFET کے گیٹ G پول کو S قطب کے پچھلے حصے کے برابر بناتا ہے، معطل کر دیا جاتا ہے، جس کے نتیجے میں غلط ٹرگرنگ ہوتی ہے۔ علاج یہ ہے کہ 24V اور 15V گراؤنڈ کو ایک ساتھ جوڑ دیا جائے، اور دوبارہ تجربے کو روکنے کے لیے، سرکٹ عام طور پر کام کرتا ہے۔ سرکٹ کنکشن معمول کی بات ہے، لیکن جب ڈرائیو سگنل، MOSFET ہیٹ، پلس ڈرائیو سگنل میں حصہ لیتے ہوئے وقت کی ایک مدت کے لیے، فیوز اڑا دیا جاتا ہے، اور پھر ڈرائیو سگنل شامل کریں، فیوز براہ راست اڑا دیا جاتا ہے۔ سرکٹ چیک کریں کہ ڈرائیو سگنل کا ہائی لیول ڈیوٹی سائیکل بہت بڑا ہے، جس کے نتیجے میں MOSFET ٹرن آن ٹائم بہت طویل ہے۔ اس سرکٹ کا ڈیزائن اس وقت بناتا ہے جب MOSFET کھلتا ہے، 24V براہ راست MOSFET کے سروں میں شامل کیا جاتا ہے، اور کرنٹ کو محدود کرنے والے ریزسٹر کو شامل نہیں کیا جاتا ہے، اگر آن ٹائم بہت لمبا ہے تو کرنٹ بہت بڑا ہے، MOSFET کو نقصان، سگنل کی ڈیوٹی سائیکل کو ریگولیٹ کرنے کی ضرورت عام طور پر 10٪ سے 20٪ یا اس سے زیادہ نہیں ہوسکتی ہے۔

2.3 ڈرائیو سرکٹ کی تصدیق

ڈرائیو سرکٹ کی فزیبلٹی کی تصدیق کرنے کے لیے، ہم اسے ایک دوسرے کے ساتھ سیریز میں جڑے ہوئے thyristor سرکٹ کو چلانے کے لیے استعمال کرتے ہیں، thyristor کو ایک دوسرے کے ساتھ سیریز میں اور پھر متوازی مخالف، inductive reactance کے ساتھ سرکٹ تک رسائی، بجلی کی فراہمی 380V AC وولٹیج کا ذریعہ ہے۔

اس سرکٹ میں MOSFET، thyristor Q2، Q8 G11 اور G12 رسائی کے ذریعے سگنل کو متحرک کرتا ہے، جبکہ Q5، Q11 G21، G22 تک رسائی کے ذریعے سگنل کو متحرک کرتا ہے۔ thyristor گیٹ کی سطح پر ڈرائیو سگنل موصول ہونے سے پہلے، thyristor کی مداخلت مخالف صلاحیت کو بہتر بنانے کے لیے، thyristor کے گیٹ کو ایک ریزسٹر اور capacitor سے جوڑا جاتا ہے۔ یہ سرکٹ انڈکٹر سے منسلک ہوتا ہے اور پھر مین سرکٹ میں ڈال دیا جاتا ہے۔ مین سرکٹ ٹائم میں بڑے انڈکٹر کو کنٹرول کرنے کے لیے تھائرسٹر کے کنڈکشن اینگل کو کنٹرول کرنے کے بعد، آدھے سائیکل کے ٹرگر سگنل فرق کے فیز اینگل کے اوپری اور نچلے سرکٹس، اوپری G11 اور G12 ہر طرح سے ایک ٹرگر سگنل ہے۔ آئسولیشن ٹرانسفارمر کے فرنٹ اسٹیج کے ڈرائیو سرکٹ کے ذریعے ایک دوسرے سے الگ تھلگ کیا جاتا ہے، نچلے G21 اور G22 کو بھی اسی طرح سگنل سے الگ تھلگ کیا جاتا ہے۔ دو ٹرگر سگنل مخالف متوازی تھائریسٹر سرکٹ مثبت اور منفی ترسیل کو متحرک کرتے ہیں، 1 چینل کے اوپر پورے تھائرسٹر سرکٹ وولٹیج سے منسلک ہوتا ہے، تھائرسٹر کنڈکشن میں یہ 0 ہو جاتا ہے، اور 2، 3 چینل اوپر اور نیچے تھائرسٹر سرکٹ سے منسلک ہوتا ہے۔ روڈ ٹرگر سگنلز، 4 چینل پورے thyristor کرنٹ کے بہاؤ سے ماپا جاتا ہے۔

2 چینل نے ایک مثبت ٹرگر سگنل کی پیمائش کی، جو thyristor کنڈکشن کے اوپر متحرک ہوا، کرنٹ مثبت ہے۔ 3 چینل نے ایک ریورس ٹرگر سگنل ماپا، thyristor ترسیل کے نچلے سرکٹ کو متحرک کرتا ہے، موجودہ منفی ہے.

 

3. سیمینار کے آئی جی بی ٹی ڈرائیو سرکٹ آئی جی بی ٹی ڈرائیو سرکٹ میں بہت سی خصوصی درخواستیں ہیں، جن کا خلاصہ:

(1) ڈرائیو وولٹیج پلس کے عروج اور زوال کی شرح کافی بڑی ہونی چاہیے۔ igbt آن کرنے پر، اسٹیپ گیٹ وولٹیج کا سرکردہ کنارہ گیٹ کے درمیان گیٹ G اور ایمیٹر E میں شامل کیا جاتا ہے، تاکہ ٹرن آن کے نقصانات کو کم کرنے کے لیے وقت پر مختصر ترین موڑ تک پہنچنے کے لیے اسے تیزی سے آن کیا جائے۔ آئی جی بی ٹی شٹ ڈاؤن میں، گیٹ ڈرائیو سرکٹ کو آئی جی بی ٹی لینڈنگ ایج بہت تیز شٹ ڈاؤن وولٹیج فراہم کرنا چاہیے، اور آئی جی بی ٹی گیٹ جی اور ایمیٹر ای کو مناسب ریورس بائیس وولٹیج کے درمیان، تاکہ آئی جی بی ٹی تیز رفتار شٹ ڈاؤن، شٹ ڈاؤن کے وقت کو کم کرے، بند نقصان.

(2) IGBT ترسیل کے بعد، گیٹ ڈرائیو سرکٹ کی طرف سے فراہم کردہ ڈرائیو وولٹیج اور کرنٹ IGBT ڈرائیو وولٹیج اور کرنٹ کے لیے کافی طول و عرض ہونا چاہیے، تاکہ IGBT کی پاور آؤٹ پٹ ہمیشہ سیر شدہ حالت میں رہے۔ عارضی اوورلوڈ، گیٹ ڈرائیو سرکٹ کی طرف سے فراہم کردہ ڈرائیونگ پاور اس بات کو یقینی بنانے کے لیے کافی ہونی چاہیے کہ IGBT سنترپتی علاقے اور نقصان سے باہر نہ نکلے۔

(3) IGBT گیٹ ڈرائیو سرکٹ کو مناسب قیمت لینے کے لیے IGBT مثبت ڈرائیو وولٹیج فراہم کرنا چاہیے، خاص طور پر IGBT میں استعمال ہونے والے آلات کے شارٹ سرکٹ آپریٹنگ عمل میں، مثبت ڈرائیو وولٹیج کو مطلوبہ کم از کم قیمت تک منتخب کیا جانا چاہیے۔ آئی جی بی ٹی کے گیٹ وولٹیج کی سوئچنگ ایپلی کیشن بہترین کے لیے 10V ~ 15V ہونی چاہیے۔

(4) IGBT شٹ ڈاؤن عمل، گیٹ کے درمیان لاگو منفی تعصب وولٹیج - ایمیٹر IGBT کے تیز رفتار بند ہونے کے لیے سازگار ہے، لیکن اسے بہت بڑا نہیں لینا چاہیے، عام ٹیک -2V سے -10V۔

(5) بڑے انڈکٹو بوجھ کی صورت میں، بہت تیز سوئچنگ نقصان دہ ہے، آئی جی بی ٹی میں تیز رفتار ٹرن آن اور ٹرن آف میں بڑے انڈکٹو بوجھ، اعلی تعدد اور اعلی طول و عرض اور اسپائیک وولٹیج کی تنگ چوڑائی پیدا کرے گا Ldi/dt ، سپائیک جذب کرنے کے لئے آسان نہیں ہے، آلہ کو پہنچنے والے نقصان کو تشکیل دینا آسان ہے۔

(6) جیسا کہ آئی جی بی ٹی ہائی وولٹیج والی جگہوں پر استعمال ہوتا ہے، اس لیے ڈرائیو سرکٹ پورے کنٹرول سرکٹ کے ساتھ شدید تنہائی کے امکان میں ہونا چاہیے، ہائی سپیڈ آپٹیکل کپلنگ آئسولیشن یا ٹرانسفارمر کپلنگ آئسولیشن کا عام استعمال۔

 

ڈرائیو سرکٹ کی حیثیت

مربوط ٹیکنالوجی کی ترقی کے ساتھ، موجودہ IGBT گیٹ ڈرائیو سرکٹ زیادہ تر مربوط چپس کے ذریعے کنٹرول کیا جاتا ہے۔ کنٹرول موڈ اب بھی بنیادی طور پر تین قسم کا ہے:

(1) براہ راست ٹرگرنگ قسم ان پٹ اور آؤٹ پٹ سگنلز کے درمیان کوئی برقی تنہائی نہیں ہے۔

(2) پلس ٹرانسفارمر تنہائی کا استعمال کرتے ہوئے ان پٹ اور آؤٹ پٹ سگنلز کے درمیان ٹرانسفارمر تنہائی ڈرائیو، 4000V تک تنہائی وولٹیج کی سطح۔

 

مندرجہ ذیل کے طور پر 3 نقطہ نظر ہیں

غیر فعال نقطہ نظر: سیکنڈری ٹرانسفارمر کا آؤٹ پٹ براہ راست IGBT کو چلانے کے لیے استعمال کیا جاتا ہے، وولٹ سیکنڈ برابری کی حدود کی وجہ سے، یہ صرف ان جگہوں پر لاگو ہوتا ہے جہاں ڈیوٹی سائیکل زیادہ تبدیل نہیں ہوتا ہے۔

فعال طریقہ: ٹرانسفارمر صرف الگ تھلگ سگنل فراہم کرتا ہے، ثانوی پلاسٹک یمپلیفائر سرکٹ میں IGBT کو چلانے کے لیے، ڈرائیو waveform بہتر ہے، لیکن علیحدہ معاون طاقت فراہم کرنے کی ضرورت ہے۔

سیلف سپلائی کا طریقہ: پلس ٹرانسفارمر کا استعمال ڈرائیو انرجی اور ہائی فریکوئنسی ماڈیولیشن اور ڈیموڈولیشن ٹیکنالوجی دونوں کو منطقی سگنلز کی ترسیل کے لیے منتقل کرنے کے لیے کیا جاتا ہے، جسے ماڈیولیشن قسم کی سیلف سپلائی اپروچ اور ٹائم شیئرنگ ٹیکنالوجی سیلف سپلائی میں تقسیم کیا جاتا ہے، جس میں ماڈیولیشن مطلوبہ پاور سپلائی، ہائی فریکوئنسی ماڈیولیشن اور منطقی سگنل منتقل کرنے کے لیے ڈیموڈولیشن ٹیکنالوجی پیدا کرنے کے لیے ریکٹیفائر پل کو خود سپلائی پاور ٹائپ کریں۔

 

3. thyristor اور IGBT ڈرائیو کے درمیان رابطہ اور فرق

Thyristor اور IGBT ڈرائیو سرکٹ میں اسی طرح کے مرکز کے درمیان فرق ہے۔ سب سے پہلے، دو ڈرائیو سرکٹس کو سوئچنگ ڈیوائس اور کنٹرول سرکٹ کو ایک دوسرے سے الگ کرنے کی ضرورت ہوتی ہے، تاکہ ہائی وولٹیج سرکٹس کا کنٹرول سرکٹ پر اثر نہ پڑے۔ پھر، سوئچنگ ڈیوائس کو آن کرنے کے لیے دونوں گیٹ ڈرائیو سگنل پر لاگو ہوتے ہیں۔ فرق یہ ہے کہ thyristor ڈرائیو کو موجودہ سگنل کی ضرورت ہوتی ہے، جبکہ IGBT کو وولٹیج سگنل کی ضرورت ہوتی ہے۔ سوئچنگ ڈیوائس کی ترسیل کے بعد، تھائرسٹر کے گیٹ نے تھائرسٹر کے استعمال کا کنٹرول کھو دیا ہے، اگر آپ تھائرسٹر کو بند کرنا چاہتے ہیں، تو تھائرسٹر ٹرمینلز کو ریورس وولٹیج میں شامل کرنا چاہیے۔ اور IGBT شٹ ڈاؤن کو صرف منفی ڈرائیونگ وولٹیج کے گیٹ میں شامل کرنے کی ضرورت ہے، IGBT کو بند کرنے کے لیے۔

 

4. نتیجہ

اس مقالے کو بنیادی طور پر بیانیہ کے دو حصوں میں تقسیم کیا گیا ہے، thyristor ڈرائیو سرکٹ کا پہلا حصہ بیانیہ کو روکنے کی درخواست، متعلقہ ڈرائیو سرکٹ کا ڈیزائن، اور سرکٹ کے ڈیزائن کو عملی thyristor سرکٹ پر لاگو کیا جاتا ہے، تخروپن کے ذریعے۔ اور ڈرائیو سرکٹ کی فزیبلٹی کو ثابت کرنے کے لیے تجربات، مسائل کے تجزیے میں درپیش تجرباتی عمل کو روک دیا گیا اور ان سے نمٹا گیا۔ ڈرائیو سرکٹ کی درخواست پر آئی جی بی ٹی پر اہم بحث کا دوسرا حصہ، اور اس کی بنیاد پر موجودہ عام طور پر استعمال ہونے والے آئی جی بی ٹی ڈرائیو سرکٹ کو مزید متعارف کرانے کے لیے، اور نقلی اور تجربہ کو روکنے کے لیے مرکزی اوپٹوکوپلر آئسولیشن ڈرائیو سرکٹ، ثابت کرنے کے لیے۔ ڈرائیو سرکٹ کی فزیبلٹی