MOSFET کے چار علاقے کیا ہیں؟

N-چینل بڑھانے والے MOSFET کے چار علاقے

(1) متغیر مزاحمتی خطہ (جسے غیر سیر شدہ خطہ بھی کہا جاتا ہے)

Ucs" Ucs (th) (ٹرن آن وولٹیج)، uDs" UGs-Ucs (th)، تصویر میں پہلے سے لگائے گئے ٹریس کے بائیں جانب کا علاقہ ہے جہاں چینل آن کیا گیا ہے۔ اس خطے میں UDs کی قدر کم ہے، اور چینل کی مزاحمت کو بنیادی طور پر صرف UGs کے ذریعے کنٹرول کیا جاتا ہے۔ جب uGs یقینی ہے، ip اور uDs ایک لکیری تعلق میں ہیں، تو خطہ سیدھی لکیروں کے سیٹ کے طور پر تخمینہ لگایا جاتا ہے۔ اس وقت، فیلڈ ایفیکٹ ٹیوب D، S ایک وولٹیج UGS کے برابر کے درمیان

وولٹیج UGS متغیر مزاحمت کی طرف سے کنٹرول.

(2) مستقل موجودہ خطہ (سیچوریشن ریجن، ایمپلیفیکیشن ریجن، ایکٹو ریجن کے نام سے بھی جانا جاتا ہے)

Ucs ≥ Ucs (h) اور Ubs ≥ UcsUssth)، پری پنچ آف ٹریک کے دائیں طرف کے اعداد و شمار کے لیے، لیکن ابھی تک اس خطے میں ٹوٹا نہیں ہے، خطے میں، جب uGs ہونا ضروری ہے، ib تقریباً نہیں کرتا UDs کے ساتھ تبدیلی، ایک مستقل موجودہ خصوصیات ہیں۔ i کو صرف UGs کے ذریعے کنٹرول کیا جاتا ہے، پھر MOSFETD, S موجودہ سورس کے وولٹیج uGs کے کنٹرول کے برابر ہے۔ MOSFET ایمپلیفیکیشن سرکٹس میں استعمال ہوتا ہے، عام طور پر MOSFET D، S کے کام پر وولٹیج uGs کنٹرول کرنٹ سورس کے برابر ہوتا ہے۔ ایمپلیفیکیشن سرکٹس میں استعمال ہونے والا MOSFET، عام طور پر اس خطے میں کام کرتا ہے، لہذا اسے ایمپلیفیکیشن ایریا بھی کہا جاتا ہے۔

(3) کلپ آف ایریا (جسے کٹ آف ایریا بھی کہا جاتا ہے)

کلپ آف ایریا (جسے کٹ آف ایریا بھی کہا جاتا ہے) خطے کے افقی محور کے قریب اعداد و شمار کے لیے ucs "Ues (th) کو پورا کرنے کے لیے، چینل کو مکمل طور پر بند کر دیا گیا ہے، جسے مکمل کلپ آف کہا جاتا ہے، io = 0 ٹیوب کام نہیں کرتی۔

(4) بریک ڈاؤن زون کا مقام

خرابی کا علاقہ اعداد و شمار کے دائیں جانب خطے میں واقع ہے۔ بڑھتی ہوئی UDs کے ساتھ، PN جنکشن بہت زیادہ ریورس وولٹیج اور خرابی کا شکار ہے، ip تیزی سے بڑھتا ہے۔ ٹیوب کو چلایا جانا چاہئے تاکہ خرابی والے علاقے میں کام کرنے سے بچ سکے۔ منتقلی کی خصوصیت کا وکر آؤٹ پٹ خصوصیت کے وکر سے اخذ کیا جاسکتا ہے۔ تلاش کرنے کے لیے گراف کے طور پر استعمال ہونے والے طریقہ پر۔ مثال کے طور پر، Ubs = 6V عمودی لکیر کے لیے شکل 3 (a) میں، اس کا انٹرسیکشن مختلف منحنی خطوط کے ساتھ ہے جو کہ وکر سے منسلک ib- Uss کوآرڈینیٹس میں i، Us کی قدروں کے ساتھ ہے، یعنی منتقلی کی خصوصیت کا وکر حاصل کرنے کے لیے۔

کے پیرامیٹرزMOSFET

MOSFET کے بہت سے پیرامیٹرز ہیں، بشمول DC پیرامیٹرز، AC پیرامیٹرز اور حد کے پیرامیٹرز، لیکن عام استعمال میں صرف مندرجہ ذیل اہم پیرامیٹرز کا خیال رکھنے کی ضرورت ہے: سیر شدہ ڈرین سورس کرنٹ IDSS پنچ آف وولٹیج اپ، (جنکشن کی قسم کی ٹیوبیں اور کمی قسم موصل گیٹ ٹیوبیں، یا ٹرن آن وولٹیج UT (مضبوط موصل گیٹ ٹیوبز)، ٹرانس کنڈکٹنس جی ایم، لیکیج سورس بریک ڈاؤن وولٹیج BUDS، زیادہ سے زیادہ منتشر پاور PDSM، اور زیادہ سے زیادہ ڈرین سورس کرنٹ IDSM۔

(1) سیر شدہ ڈرین کرنٹ

سیچوریٹڈ ڈرین کرنٹ IDSS کسی جنکشن یا ڈیپلیشن ٹائپ انسولیٹڈ گیٹ MOSFET میں ڈرین کرنٹ ہوتا ہے جب گیٹ وولٹیج UGS = 0 ہوتا ہے۔

(2) کلپ آف وولٹیج

پنچ آف وولٹیج UP ایک جنکشن-قسم یا ڈیپلیشن-قسم کے موصل گیٹ MOSFET میں گیٹ وولٹیج ہے جو صرف نالی اور ماخذ کے درمیان کٹ جاتا ہے۔ جیسا کہ N-چینل ٹیوب UGS ایک ID وکر کے لیے 4-25 میں دکھایا گیا ہے، IDSS اور UP کی اہمیت کو دیکھنے کے لیے سمجھا جا سکتا ہے۔

MOSFET چار علاقے

(3) ٹرن آن وولٹیج

ٹرن آن وولٹیج UT ایک مضبوط موصل گیٹ MOSFET میں گیٹ وولٹیج ہے جو انٹر ڈرین سورس کو صرف کنڈکٹیو بناتا ہے۔

(4) نقل و حمل

ٹرانس کنڈکٹینس جی ایم ڈرین کرنٹ آئی ڈی پر گیٹ سورس وولٹیج UGS کی کنٹرول کی صلاحیت ہے، یعنی ڈرین کرنٹ آئی ڈی میں تبدیلی اور گیٹ سورس وولٹیج UGS میں تبدیلی کا تناسب۔ 9m ایک اہم پیرامیٹر ہے جس کا وزن بڑھانا کی صلاحیت ہے۔MOSFET.

(5) ڈرین سورس بریک ڈاؤن وولٹیج

ڈرین سورس بریک ڈاؤن وولٹیج BUDS سے مراد گیٹ سورس وولٹیج UGS کچھ ہے، MOSFET نارمل آپریشن زیادہ سے زیادہ ڈرین سورس وولٹیج کو قبول کر سکتا ہے۔ یہ ایک حد پیرامیٹر ہے، MOSFET میں شامل کیا گیا آپریٹنگ وولٹیج BUDS سے کم ہونا چاہیے۔

(6) زیادہ سے زیادہ بجلی کی کھپت

زیادہ سے زیادہ بجلی کی کھپت PDSM بھی ایک حد پیرامیٹر ہے، سے مراد ہے۔MOSFETکارکردگی خراب نہیں ہوتی جب زیادہ سے زیادہ قابل اجازت رساو کے ذریعہ بجلی کی کھپت ہوتی ہے۔ MOSFET استعمال کرتے وقت عملی بجلی کی کھپت PDSM سے کم ہونی چاہئے اور ایک خاص مارجن چھوڑنا چاہئے۔

(7) زیادہ سے زیادہ ڈرین کرنٹ

زیادہ سے زیادہ رساو کرنٹ IDSM ایک اور حد پیرامیٹر ہے، MOSFET کے نارمل آپریشن سے مراد ہے، MOSFET کے آپریٹنگ کرنٹ سے گزرنے کے لیے زیادہ سے زیادہ کرنٹ کا رساو کا ذریعہ IDSM سے زیادہ نہیں ہونا چاہیے۔

MOSFET آپریٹنگ اصول

MOSFET (N-channel enhancement MOSFET) کا آپریٹنگ اصول یہ ہے کہ VGS کو "آمائشی چارج" کی مقدار کو کنٹرول کرنے کے لیے استعمال کیا جائے، تاکہ ان "انڈکٹو چارج" کے ذریعے بننے والے کوندکٹو چینل کی حالت کو تبدیل کیا جا سکے، اور پھر مقصد کو حاصل کیا جا سکے۔ ڈرین کرنٹ کو کنٹرول کرنے کا۔ اس کا مقصد ڈرین کرنٹ کو کنٹرول کرنا ہے۔ ٹیوبوں کی تیاری میں، موصل پرت میں مثبت آئنوں کی ایک بڑی تعداد بنانے کے عمل کے ذریعے، تو انٹرفیس کے دوسرے حصے میں زیادہ منفی چارجز کی حوصلہ افزائی کی جا سکتی ہے، ان منفی چارجز کی حوصلہ افزائی کی جا سکتی ہے۔

جب گیٹ وولٹیج تبدیل ہوتا ہے، تو چینل میں لگائے گئے چارج کی مقدار بھی بدل جاتی ہے، کنڈکٹیو چینل کی چوڑائی بھی بدل جاتی ہے، اور اس طرح گیٹ وولٹیج کے ساتھ ڈرین کرنٹ آئی ڈی بدل جاتی ہے۔

MOSFET کا کردار

I. MOSFET کو پروردن پر لاگو کیا جا سکتا ہے۔ MOSFET یمپلیفائر کے اعلی ان پٹ رکاوٹ کی وجہ سے، الیکٹرولائٹک کیپسیٹرز کے استعمال کے بغیر، کپلنگ کیپسیٹر چھوٹی صلاحیت کا ہو سکتا ہے۔

دوسرا، MOSFET کا اعلی ان پٹ مائبادا مائبادا کی تبدیلی کے لیے بہت موزوں ہے۔ مائبادا کنورژن کے لیے عام طور پر ملٹی اسٹیج ایمپلیفائر ان پٹ اسٹیج میں استعمال ہوتا ہے۔

MOSFET کو متغیر ریزسٹر کے طور پر استعمال کیا جا سکتا ہے۔

چوتھا، MOSFET کو ایک مستقل کرنٹ سورس کے طور پر آسانی سے استعمال کیا جا سکتا ہے۔

پانچویں، MOSFET کو الیکٹرانک سوئچ کے طور پر استعمال کیا جا سکتا ہے۔